[发明专利]具有高透光率的导电制品

权利要求书

1.一种透明导电制品，包括：

透明基底；和

设置在所述基底上的导电栅格，其中所述栅格具有不超过1微米的厚度；和

设置在所述基底上并且与所述栅格接触的碳纳米层，所述碳纳米层具有不超过50纳米的厚度；

其中所述碳纳米层具有包括嵌入在纳米晶碳中的石墨小片的形态；

其中所述制品为柔性的，其中所述碳纳米层和所述栅格为所述制品提供薄层电阻，并且其中在使所述制品经受由1cm的弯曲直径所表征的挠曲时，在60秒的所述挠曲之后，所述薄层电阻未增加超过所述薄层电阻的初始值的两倍。

2.根据权利要求1所述的制品，其中所述制品在550nm处具有至少80％的空间平均透光率。

3.根据权利要求1所述的制品，其中所述碳纳米层和所述栅格为所述制品提供小于500欧姆/平方的薄层电阻。

4.根据权利要求3所述的制品，其中所述碳纳米层和所述栅格为所述制品提供小于50欧姆/平方的薄层电阻。

5.根据权利要求1所述的制品，其中所述栅格设置在所述基底和所述碳纳米层之间。

6.根据权利要求1所述的制品，其中所述碳纳米层设置在所述基底和所述栅格之间。

7.根据权利要求1所述的制品，其中所述栅格被构造为规则重复图案。

8.根据权利要求1所述的制品，其中所述栅格具有至少90％的开口面积百分比。

9.根据权利要求1所述的制品，其中所述栅格由除ITO之外的材料组成并且具有至少10⁴西门子/米的电导率。

10.根据权利要求9所述的制品，其中所述栅格材料包括选自铝、银、金、铜、镍、钛、铬、铟、以及它们的合金的金属。

11.根据前述权利要求中任一项所述的制品，其中所述碳纳米层用作电场分布层。

12.根据权利要求1所述的制品，其中所述制品具有沿第一平面内轴线的至少1米的第一尺寸，并且所述制品具有沿第二平面内轴线的至少0.1米的第二尺寸，所述第一平面内轴线和第二平面内轴线为垂直的。

13.一种制备透明导电制品的方法，包括：

提供第一基底；

在所述基底上形成导电栅格以提供中间制品，所述栅格具有不超过1微米的厚度；

将包含碳粒的干燥组合物施用到所述中间制品；以及

抛光所述中间制品上的干燥组合物以形成覆盖所述栅格和所述基底的透明碳纳米层，同时保持所述栅格的物理完整性；

其中所述制品为柔性的，其中所述碳纳米层和所述栅格为所述制品提供薄层电阻，并且其中在使所述制品经受由1cm的弯曲直径所表征的挠曲时，在60秒的所述挠曲之后，所述薄层电阻未增加超过所述薄层电阻的初始值的两倍。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一基底包括透明柔性膜。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述碳纳米层具有不超过50nm的厚度。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述碳纳米层具有包括嵌入在纳米晶碳中的石墨小片的形态。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一基底包括隔离衬片。

18.根据权利要求13-17中任一项所述的方法，还包括：

将所述栅格和所述透明碳纳米层从所述第一基底转移到第二基底。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二基底包括透明柔性膜。