[发明专利]用于操作对象成分的芯片装置及使用其的方法有效
| 申请号: | 201280062684.7 | 申请日: | 2012-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN103998940A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
| 发明(设计)人: | 片所功;大桥铁雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号: | G01N35/08 | 分类号: | G01N35/08;C12M1/00;C12M1/34;G01N37/00 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 日本京都府京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 操作 对象 成分 芯片 装置 使用 方法 | ||
1.一种芯片装置,其是用于操作对象成分的芯片装置,并且包括:
操作芯片,其包括基板、形成在所述基板表面的沟、及以使凝胶相和水系液体相在所述沟的长度方向上交替配置且相彼此相互接触的方式被收纳在所述沟内的操作用介质;
磁性体粒子,其应捕捉并搬运对象成分;
磁场施加单元,其通过对所述基板施加磁场而使所述磁性体粒子在所述基板上的所述沟的长度方向上移动。
2.根据权利要求1所述的芯片装置,其中所述水系液体相中,收纳在最接近所述沟的一端或另一端的位置的水系液体相是应最先供给包含所述对象成分的试样的水系液体相。
3.根据权利要求1或2所述的芯片装置,其中所述沟包含主沟和从所述主沟起分支的分支沟。
4.根据权利要求3所述的芯片装置,其中收纳在最接近所述沟的主沟侧的端部的位置的水系液体相是应最先供给所述对象成分的水系液体相。
5.根据权利要求3所述的芯片装置,其中收纳在最接近所述沟的分支沟侧的端部的位置的水系液体相是应最先供给所述对象成分的水系液体相。
6.根据权利要求1或2所述的芯片装置,其中所述沟包含交叉成方格状的多个沟。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片装置,其中所述沟的表面的和所述凝胶相接触的部分经过疏水性处理。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片装置,其中所述沟的表面的和所述水系液体相接触的部分经过亲水性处理。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的芯片装置,其中所述沟为宽度0.005mm~10mm及深度0.005mm~5mm。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的芯片装置,其中所述基板的具有所述沟的一侧的表面具有盖板。
11.根据权利要求10所述的芯片装置,其中所述盖板是贯穿设置了孔的盖板,所述孔通向位于所述沟的至少一个末端的凝胶相。
12.根据权利要求4及7至11中任一项所述的芯片装置,其中所述磁场施加单元是和所述基板面大致并行地配置成一维阵列状或二维阵列状的多个磁体,所述多个磁体是可在相互吸在一起的状态下和所述基板面大致并行且在所述主沟的长度方向上移动的多个磁体,在所述磁体的行进路线上且从所述主沟向所述分支沟的分支点处,设置了用于分离所述多个磁体的分离辅助具。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的芯片装置,其中所述水系液体相包含选自由核酸提取液相、核酸清洗液相、及核酸扩增反应液相所组成的族群中的相。
14.一种操作芯片的制作方法,所述操作芯片是根据权利要求1至13中任一项所述的芯片装置所含的操作芯片,所述方法包括以下工序:
(i)制备沿着形成在基板上的沟的长度方向相互隔离地配置了多个凝胶块的凝胶相部的工序;以及
(ii)通过向和所述凝胶相部邻接的沟内空间加入水系液体,而制备水系液体相部的工序。
15.根据权利要求14所述的操作芯片的制作方法,其还包括(iii)在所述基板的具有所述沟的一侧的表面设置盖板的工序。
16.一种用于操作对象成分的方法,其使用根据权利要求1至13中任一项所述的芯片装置,所述方法包括以下工序:
(i)在位于所述操作芯片的一端的水系液体相中,获得含有包含对象成分的试样、磁性体粒子及水系液体的水系液体混合物的工序;
(ii)利用磁场施加单元产生磁场,将所述磁性体粒子和所述对象成分一起从位于最末端的所述水系液体混合物的相经过所述凝胶相而搬运到邻接的水系液体相中的工序;
(iii)在所述水系液体相中进行所需的处理的工序;
(iv)利用所述磁场施加单元产生磁场,将所述磁性体粒子和所述对象成分一起从所述水系液体相搬运到其他水系液体相的工序;
(v)在所述其他水系液体相中进行所需的处理的工序;
(vi)根据需要反复进行所述工序(iv)及所述工序(v)的工序;以及
(vii)将所述磁性体粒子和所述对象成分一起搬运到位于所述操作芯片的另一端的水系液体相的工序。
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