[发明专利]用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板

说明书

技术领域

本发明的实施例一般性关于基板处理设备。

背景技术

基板处理系统(如等离子体反应器)可用于在基板上沉积、蚀刻或形成层，或是以其他方式处理基板的表面。一个可用于控制这样的基板处理的各方面的技术是使用射频(RF)能量来控制基板附近的等离子体，例如通过将RF能量耦合到基板下方的电极，该基板位于基板支座上。

发明人在本文中提供了基板处理系统的实施例，这些基板处理系统可提供改良的基板处理系统的RF能量控制以及在晶圆边缘附近弹性的等离子体鞘层控制。

发明内容

本文中提供处理基板的方法及装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可以包括：基板支座，该基板支座包含位于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；位于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极位于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面位于该第一电极的该第一表面周围与上方。

在一些实施例中，一种基板支座包括：具有周缘的第一电极；位于该第一电极上方的基板支座表面；位于该第一电极周围并径向延伸越过该第一电极的该周缘的第二电极；位于该第一电极的该周缘的周围的第一介电层；以及RF接地层，该RF接地层位于该第一介电层周围，其中该第二电极至少部分位于该第一介电层上方。

在一些实施例中，一种基板支座可包括：支撑表面；第一电极，该第一电极位于该基板支座内并具有周缘，该第一电极的该周缘延伸越过该支撑表面的周缘；第二电极，该第二电极位于该基板支座内并具有周缘，该第二电极的该周缘延伸越过该第一电极的该周缘；位于该第一电极的该周缘的周围的介电层；以及位于该介电层周围的RF接地层。

以下描述本发明的其他与进一步的实施例。

附图说明

通过参照本发明绘示于随附图示中的说明性实施例，可以了解本发明于以上概述并于以下更加详细讨论的实施例。然而，应注意的是，附图仅说明本发明的典型实施例，因此不应将这些附图视为限制本发明的范围，因本发明可认可其他等同有效的实施例。

图1绘示依据本发明的一些实施例的等离子体反应器的示意图。

图2绘示依据本发明的一些实施例的基板支座的示意图。

图3绘示依据本发明的一些实施例的基板支座的部分示意图。

图4绘示依据本发明的一些实施例的基板支座的部分示意图。

图5A与图5B分别绘示依据本发明的一些实施例用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图与侧剖视图。

图6A至6C分别绘示依据本发明的一些实施例用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图、侧剖视图以及细部侧剖视图。

图7A至7E分别绘示依据本发明的一些实施例用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图、侧剖视图、细部侧剖视图、细部俯视图以及顶部细部的侧剖视图。

为了便于理解，已在可能处使用相同的元件符号来指称对于附图为相同的元件。这些附图不按比例绘制，并且为了清楚起见可以被简化。亦考量到可以将一个实施例的元件与特征有益地整合于其他实施例中而无需进一步详述。

具体实施方式

本文中揭示处理基板的方法及装置。本发明的方法及装置与现有的等离子体处理装置相比可以有利地便于更均匀地等离子体处理基板。例如，本发明的实施例可以减少在基板边缘的边缘卷离或边缘卷起，从而提供更均匀的基板。本案发明人已经观察到边缘卷离或边缘卷起的原因除了其他的因素之外可能是由于基板边缘附近的RF功率耦合中有不连续。本发明的方法及装置针对在基板边缘的不连续，通过提供电极或提供一或多个另外的电极来改善基板边缘附近的RF功率耦合。