[发明专利]光伏装置及其形成方法

权利要求书

1.一种光伏装置，包括：

第一半导体层，包括第一材料；以及

界面层，邻近第一半导体层，包括含有第一材料和第二材料的混合物，

其中，相对于第二材料的第一材料的浓度在界面层的面对第一半导体层的第一侧上较高，在界面层的相反的第二侧上较低。

2.如权利要求1所述的光伏装置，其中，相对于第二材料的第一材料的浓度根据远离界面层与第一半导体层接触处的距离而减小。

3.如权利要求1所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义从0至1的数。

4.如权利要求1所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义大于约0.2的数。

5.如权利要求1所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义大于约0.5的数。

6.如权利要求1所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义小于约0.8的数。

7.如权利要求1所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义小于约0.5的数。

8.如权利要求1所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义从约0.2至0.3的数。

9.如权利要求1所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义从约0.6到0.8的数。

10.如权利要求1所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义从约0.8到1的数。

11.如权利要求3所述的光伏装置，其中，在界面层与第一半导体层的接触处x等于大约0，并且在界面层中距离界面层与第一半导体层的接触处最远的点处x等于大约1。

12.如权利要求1所述的光伏装置，其中，界面层包括分立的多个界面层的堆叠件，每一层包括所述第一材料和第二材料的均匀混合物，每一层具有所述第一材料和第二材料的不同的浓度。

13.如权利要求12所述的光伏装置，其中，随着分立的界面层距离第一半导体层越来越远，每个分立的界面层中的所述第一材料与所述第二材料的摩尔-摩尔比逐渐减小。

14.如权利要求13所述的光伏装置，其中，每个分立的界面层中的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，对于每个分立的界面层，x定义从0至1的不同的数。

15.如权利要求11所述的光伏装置，其中，从界面层的所述第一侧到所述第二侧，相对于第二材料的第一材料的浓度连续地改变。

16.如权利要求1所述的光伏装置，还包括邻近界面层的包括第二材料的第二半导体层。

17.如权利要求16所述的光伏装置，其中，相对于第二材料的第一材料的浓度根据远离界面层与第一半导体层接触处的距离而减小。

18.如权利要求16所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义从0至1的数。

19.如权利要求16所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义大于约0.2的数。

20.如权利要求16所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义大于约0.5的数。

21.如权利要求16所述的光伏装置，其中，贯穿界面层的第一材料和第二材料之间的摩尔-摩尔比是大约(1-x):x，其中，x定义小于约0.8的数。