[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)，包括：

导电基底；以及

氮化镓(GaN)基半导体堆叠件，位于导电基底上，

其中，半导体堆叠件包括作为半极性半导体层的活性层。

2.如权利要求1所述的LED，其中，GaN基半导体堆叠件包括生长在半极性GaN基底上的半导体层。

3.如权利要求2所述的LED，其中，半极性GaN基底是具有相对于c面以15度到85度的范围的角度倾斜的主面的错切半极性GaN基底。

4.如权利要求3所述的LED，其中，导电基底是半极性GaN基底。

5.如权利要求1所述的LED，其中，导电基底是金属基底。

6.如权利要求5所述的LED，所述发光二级管还包括位于导电基底和半导体堆叠件之间的反射层。

7.如权利要求1所述的LED，所述发光二级管还包括位于半导体堆叠件上的透明氧化物层。

8.如权利要求7所述的LED，其中，透明氧化物层具有凹凸图案。

9.如权利要求8所述的LED，其中，透明氧化物层包括氧化铟锡(ITO)或氧化锌(ZnO)。

10.如权利要求8所述的LED，其中，半导体堆叠件与透明氧化物层接触的上表面具有凹凸图案。

11.一种制造LED的方法，所述方法包括：

制备具有相对于c面以15度到85度范围的角度倾斜的主面的错切半极性GaN基底；以及

在半极性GaN基底上生长半极性GaN基半导体层，以形成半导体堆叠件。

12.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括在半导体堆叠件上形成透明氧化物层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，透明氧化物层具有凹凸图案。

14.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

在半导体堆叠件上形成反射层；

将支撑基底附着在反射层上；以及

去除半极性GaN基底。

15.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

在基底上形成半导体堆叠件之前，使用电化学蚀刻技术在半极性GaN基底上形成具有多孔结构的氮化物层。

16.如权利要求15所述的方法，其中，通过使用具有多孔结构的氮化物层将半极性GaN基底与半导体堆叠件分离。

17.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

在去除半极性GaN基底之后，在半导体堆叠件的表面上形成凹凸图案。

18.如权利要求17所述的方法，所述方法还包括：

在半导体堆叠件上形成透明氧化物层。

19.如权利要求18所述的方法，其中，透明氧化物层具有凹凸图案。

20.如权利要求18所述的方法，其中，透明氧化物层包括ITO或ZnO。

21.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

制备支撑基底；

在支撑基底的一个表面上形成纳米棒；以及

在纳米棒上形成种子层。

22.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

沿水平方向将多个基底同时加载到半导体装置制造设备中；

对所述多个基底进行处理；以及

将所述多个基底同时从半导体装置制造设备卸载。