[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201280061937.9 | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN103988314A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 朴起昆 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明实施例涉及太阳能电池及其制造方法。
背景技术
最近,由于严重的环境污染和化石燃料短缺,新的可再生能源的发展变得越来越重要并且倍受关注。在这些新的可再生能源之中,太阳能电池作为解决未来能源问题的能源而引人注目,因为太阳能电池几乎不造成环境污染并且具有半永久使用寿命,并且存在用于太阳能电池的无限资源。
太阳能电池可以定义为当光入射到P-N结二极管上时通过使用产生电子的光伏效应而将光能转换成电能的装置。根据构成结二极管的材料,太阳能电池可以分为硅太阳能电池、主要包含I-III-VI族化合物或III-V族化合物的化合物半导体太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机太阳能电池。
由CIGS(CuInGaSe)(I-III-VI族黄铜矿类化合物半导体的一种)制成的太阳能电池表现出更为出色的光吸收性、相对于较薄厚度的较高光电转换效率,以及出色的电光稳定性,所以CIGS太阳能电池作为常规的硅太阳能电池的替代物而引人注目。
通常,可以通过向光吸收层中扩散钠来提高CIGS太阳能电池的效率。同时,在CIGS太阳能电池相关技术中,对于光吸收层的钠供应可能不充分或者不易控制。
发明内容
技术问题
本发明实施例提供一种提高了光电转换效率的太阳能电池和该太阳能电池的制造方法。
技术方案
根据实施例的太阳能电池包括:位于支撑基板上的背电极层;位于背电极层上的包括含有钠的玻璃粉的光吸收层;以及位于光吸收层上的前电极层。
根据实施例的太阳能电池的制造方法包括:在支撑基板上形成背电极层;在背电极层上形成包括含有钠的玻璃粉的光吸收层;以及在光吸收层上形成前电极层。
有益效果
根据实施例的太阳能电池,在光吸收层上形成含有钠的玻璃粉,使得玻璃粉中所含的钠可以直接扩散到光吸收层中。因此,根据实施例的太阳能电池可以不需要独立的钠供应层,并且,通过调整玻璃粉中的钠的浓度可以使该太阳能电池具有最优的光电转换效率。
此外,入射到光吸收层中的太阳光的光路可以被该玻璃粉改变。也就是说,该玻璃粉可以使太阳光在该光吸收层中的光路变长。因此,根据实施例的太阳能电池可以具有改善的发电效率。
附图说明
图1是示出根据实施例的太阳能电池的截面图;
图2是示出根据实施例的玻璃粉改变光路的截面图;以及
图3至图6是示出根据实施例的太阳能电池模块的制造方法的截面图。
具体实施方式
在对本发明实施例的具体描述中,应当知道的是,当基板、层、膜或电极被称为在另一个基板、另一个层、另一个膜或另一个电极“上”或“下”时,它可以“直接地”或“间接地”在另一个基板、另一个层、另一个膜或另一个电极上,或者还可以存在一个或多个中间层。已经参照附图描述了层的这种位置。为了说明的目的,可以夸大附图所示的元件大小,并且可能并非完全反映实际大小。
图1是示出根据实施例的太阳能电池的截面图。参见图1,根据实施例的太阳能电池包括支撑基板100、背电极层200、光吸收层300、包含钠410的玻璃粉400、缓冲层500、高电阻缓冲层600以及前电极层700。
支撑基板100支撑着背电极层200、光吸收层300、包含钠410的玻璃粉400、缓冲层500、高电阻缓冲层600以及前电极层700。
支撑基板具有高强度。此外,支撑基板100可以是刚性的或柔性的。例如,支撑基板100可以包括玻璃基板、诸如氧化铝的陶瓷基板、不锈钢基板、钛基板或聚合物基板。此外,根据实施例的太阳能电池将钠从包含钠的玻璃粉400供应到光吸收层300。支撑基板100可以不含诸如钠之类的杂质。
背电极层200被设置在支撑基板100上。背电极层200是导电层。背电极层200可以包括选自由钼(Mo)、金(Au)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的一种。在上述材料中,Mo的热膨胀系数与支撑基板100相近,因此,Mo可以提高粘结性,并能防止背电极层200从支撑基板100上剥落。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的