[发明专利]清洗剂和碳化硅单晶基板的制造方法无效
| 申请号： | 201280061689.8 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103987832A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吉田伊织;宫谷克明 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 洗剂 碳化硅 单晶基板 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种清洗剂，其用于对利用含有锰化合物的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗，所述清洗剂中，
含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种，并且pH为6以下。
2.如权利要求1所述的清洗剂，其中，
所述研磨剂含有选自由二氧化锰、三氧化二锰和高锰酸根离子组成的组中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的清洗剂，其中，pH为5以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的清洗剂，其中，
所述抗坏血酸和所述异抗坏血酸相对于所述清洗剂整体的含有比例的合计为0.1质量％以上且50质量％以下。
5.一种碳化硅单晶基板的制造方法，其包括使用含有锰化合物的研磨剂对碳化硅单晶基板进行研磨的研磨工序、和在该研磨工序后使用清洗剂对所述碳化硅单晶基板进行清洗的清洗工序，所述制造方法中，
使用权利要求1所述的清洗剂作为所述清洗剂。
6.如权利要求5所述的碳化硅单晶基板的制造方法，其中，
所述研磨剂含有选自由二氧化锰、三氧化二锰和高锰酸根离子组成的组中的至少一种。
7.如权利要求5或6所述的碳化硅单晶基板的制造方法，其中，
所述清洗剂的pH为5以下。
8.如权利要求5～7中任一项所述的碳化硅单晶基板的制造方法，其中，
所述清洗剂中所述抗坏血酸和所述异抗坏血酸的含有比例的合计为0.1质量％以上且50质量％以下。
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