[发明专利]辐射探测器

权利要求书

1.一种辐射探测器，包括：

-辐射敏感半导体元件(10)，其响应于辐射(3)的辐照来生成电子空穴对，

-阳极电极(20)，其被布置在所述半导体元件(10)的面向所述辐射相反方向的第一表面(11)上，所述阳极电极(20)被分割成表示阳极像素的阳极段(21)，其中，阳极间隙(22)被布置在所述阳极段(21)之间，

-阴极电极(30)，其被布置在所述半导体元件(10)的与所述第一表面(11)相对并且面向所述辐射(3)方向的第二表面(12)上，所述阴极电极(30)被分割成第一阴极段(31)和第二阴极段(32)，其中，所述第一阴极段(31)基本上被布置为与所述阳极段(21)相对，并且所述第二阴极段(32)基本上被布置为与所述阳极间隙(22)相对，以及

-阴极端子(41、42)，其提供与所述第一阴极段(31)和所述第二阴极段(32)的电连接，以将不同的电势耦合到所述第一阴极段(31)和所述第二阴极段(32)。

2.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述第一阴极段(31)被布置为第一阴极段的阵列。

3.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述第一阴极段(31)在平行于所述第二表面(12)的方向中，具有与所述阳极段(21)相比基本上相同的形式。

4.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述第一阴极段(31)彼此分离，并且被各自耦合到第一阴极端子(41)。

5.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述第一阴极段(31a)被阴极连接电极(33a)耦合到一起形成组，尤其形成每行或每列，所述阴极连接电极(33a)被布置在所述半导体元件(10)的所述第二表面(12)上，所述组被各自耦合到第一阴极端子(41)。

6.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述第二阴极段(32)被布置为第二阴极段的网格。

7.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述第二阴极段(32a)被耦合到一起形成单个或多个组，所述单个或多个组被耦合到一个或多个第二阴极端子(42)。

8.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述阴极电极(30b)被分割成至少三个阴极段(31b、32b、33b)，其中，所述第一阴极段(31b)基本上被布置为与所述阳极段(21)相对，并且另外的阴极段(32b、33b)被嵌套在所述第一阴极段(31b)周围，并且

其中，所述阴极端子提供与不同阴极段(31b、32b、33b)的电连接，以将不同的电势耦合到所述不同阴极段(31b、32b、33b)。

9.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述半导体元件(10)适于响应于X射线或伽马辐射的辐照来生成电子空穴对。

10.如权利要求1所述的辐射探测器，

其中，所述半导体元件(10)由以下材料制成：元素半导体材料，尤其是Si或Ge；选自周期系的IV组的二元半导体材料，尤其是SiGe或SiC；来自周期系的III组和V组的二元半导体材料，尤其是InP、GaAs或GaN；来自周期系的II组和VI组的二元半导体材料，尤其是CdTe、HgTe、CdSe或ZnS；来自周期系的IV组和VI组的二元半导体材料，尤其是PbO或PbS；三元半导体材料，尤其是CdZnTe、HgCdTe或AlGaAs；或者四元半导体材料，尤其是InGaAsP或InGaAlP。

11.如权利要求1所述的辐射探测器，还包括：

阳极间隙段(23c)，其被布置在相邻的阳极段(21c)之间的所述阳极间隙(22c)内，以及

阳极端子(51、52)，其提供与所述阳极间隙段(23c)的电连接，以将电势耦合到所述阳极间隙段(23c)，尤其是比所述阳极段(21c)的电势更负的电势。

12.一种辐射探测装置，包括：

-如权利要求1所述的辐射探测器(2、2a、2b、2c)，以及

-电压源(5)，其被耦合到所述阴极端子(41、42)，以将不同的电势耦合到所述第一阴极段(31)和所述第二阴极段(32)。