[发明专利]气体阻隔膜有效
| 申请号： | 201280061539.7 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103998230A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 西尾昌二 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B27/00;B32B27/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 | ||
【权利要求书】：
1.一种气体阻隔膜，其特征在于，其为在基材上具备至少1层气体阻隔层、和与所述气体阻隔层邻接的保护层的气体阻隔膜，所述保护层含有有机硅，
所述气体阻隔层在其至少一部分中具有SiOxNy的组成，满足0.1≤x/(x+y)≤0.9的条件，
所述保护层被实施了照射波长为300nm以下的紫外光的改性处理，
所述保护层的膜密度相对于所述气体阻隔层的膜密度之比为0.2以上且0.75以下。
2.如权利要求1所述的气体阻隔膜，其特征在于，所述基材的热膨胀率为100ppm/℃以下，且玻璃化转变温度为120℃以上。
3.如权利要求1或2所述的气体阻隔膜，其特征在于，所述气体阻隔层是对含有聚硅氮烷的涂膜实施照射波长为400nm以下的紫外光的改性处理而形成的。
4.如权利要求1～3的任一项所述的气体阻隔膜，其特征在于，所述保护层含有具有硅氧烷键的材料。
5.如权利要求1～4的任一项所述的气体阻隔膜，其特征在于，在所述气体阻隔层和所述保护层的任一者的两面邻接地层叠另一者。
6.如权利要求1～5的任一项所述的气体阻隔膜，其特征在于，所述改性处理为照射波长低于180nm的真空紫外光的改性处理。
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