[发明专利]传感器单元以及固体摄像装置有效
| 申请号: | 201280060686.2 | 申请日: | 2012-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN103999220B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
| 发明(设计)人: | 藤田一树;久嶋龙次;森治通;冈田晴义;泽田纯一 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G01T7/00;H01L27/144;H04N5/32;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传感器 单元 以及 固体 摄像 装置 | ||
1.一种传感器单元,其特征在于:
具备:
基座构件,是具有主面以及背面的金属制的构件,第一载置区域和将所述背面作为基准的高度低于所述第一载置区域的第二载置区域被形成于所述主面;
固体摄像元件,具有受光面和位于该受光面的相反侧的背面,并以该背面与所述第一载置区域互相相对的方式被配置于所述第一载置区域上;以及
信号读出用半导体芯片,被安装于在所述基座构件的所述第二载置区域上配置的配线基板上,并放大输出从所述固体摄像元件输出的信号,
所述基座构件进一步具有与所述固体摄像元件的侧面相对并且在与所述第一载置区域以及所述第二载置区域的排列方向相交叉的方向上排列而形成的一对侧壁部,所述第一载置区域被配置于所述一对侧壁部之间,
所述信号读出用半导体芯片和所述固体摄像元件通过接合线而互相电连接,
所述配线基板具有热通孔,所述信号读出用半导体芯片通过所述热通孔而与所述基座构件热耦合。
2.如权利要求1所述的传感器单元,其特征在于:
所述基座构件进一步具有形成于所述第一载置区域与所述第二载置区域之间并且从所述主面到所述背面贯通所述基座构件的孔。
3.如权利要求1所述的传感器单元,其特征在于:
进一步具备配置于所述固体摄像元件上并且将对应于放射线的入射强度的强度的光输出至所述受光面的闪烁器。
4.如权利要求2所述的传感器单元,其特征在于:
进一步具备配置于所述固体摄像元件上并且将对应于放射线的入射强度的强度的光输出至所述受光面的闪烁器。
5.如权利要求3所述的传感器单元,其特征在于:
所述基座构件具有将所述第一载置区域作为底面并且将所述侧壁部作为侧面来形成的第一凹部、以及将所述第二载置区域作为底面来形成的第二凹部。
6.如权利要求4所述的传感器单元,其特征在于:
所述基座构件具有将所述第一载置区域作为底面并且将所述侧壁部作为侧面来形成的第一凹部、以及将所述第二载置区域作为底面来形成的第二凹部。
7.如权利要求5所述的传感器单元,其特征在于:
所述基座构件的所述背面与所述第二载置区域的间隔大于所述第二凹部的深度。
8.如权利要求6所述的传感器单元,其特征在于:
所述基座构件的所述背面与所述第二载置区域的间隔大于所述第二凹部的深度。
9.如权利要求1~8中的任意一项所述的传感器单元,其特征在于:
所述固体摄像元件具有相对于向所述受光面的入射光的波长透明的基板,通过所述固体摄像元件的侧面与所述侧壁部互相粘结从而所述固体摄像元件被固定于所述基座构件。
10.如权利要求1~8中的任意一项所述的传感器单元,其特征在于:
所述固体摄像元件具有相对于向所述受光面的入射光的波长透明的基板,
遮光膜被设置于所述固体摄像元件的所述背面上。
11.一种固体摄像装置,其特征在于:
具备:
权利要求1~10中的任意一项所述的传感器单元;
筐体,容纳所述基座构件、所述固体摄像元件以及所述信号读出用半导体芯片;以及
支撑构件,在所述筐体内支撑所述基座构件的所述背面并且使所述基座构件与所述筐体互相热耦合。
12.如权利要求11所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述支撑构件在相当于所述第二载置区域的背侧的所述基座构件的所述背面内的区域所占有的面积比例大于所述支撑构件在相当于所述第一载置区域的背侧的所述基座构件的所述背面内的区域所占有的面积比例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





