[发明专利]聚(偏氟乙烯)系聚合物和至少一种类型的导电聚合物的接枝共聚物,以及形成该接枝共聚物的方法有效
| 申请号: | 201280060597.8 | 申请日: | 2012-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN104053689A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 李佩诗;维贾伊·库马尔;林孟芳 | 申请(专利权)人: | 南洋理工大学 |
| 主分类号: | C08F259/08 | 分类号: | C08F259/08;C08F291/18;C08L27/16 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王峰;王珍仙 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 乙烯 聚合物 至少 一种 类型 导电 接枝 共聚物 以及 形成 方法 | ||
1.一种用于形成聚(偏氟乙烯)系聚合物和至少一种类型的导电聚合物的接枝共聚物的方法,其中所述导电聚合物接枝在所述聚(偏氟乙烯)系聚合物上,所述方法包括
a)用带电颗粒流辐照聚(偏氟乙烯)系聚合物;
b)在合适的溶剂中形成包含经辐照的所述聚(偏氟乙烯)系聚合物、导电单体和酸的溶液;以及
c)向所述溶液中加入氧化剂以形成所述接枝共聚物。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述带电颗粒为电子。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,辐照所述聚(偏氟乙烯)系聚合物是在真空下进行的。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,进一步包括在步骤(b)之前暴露所述经辐照的聚(偏氟乙烯)系聚合物于氧,以使得在所述聚合物的表面上形成过氧化物和/或氢过氧化物。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,暴露所述经辐照的聚(偏氟乙烯)系聚合物于氧包括将所述经辐照的聚(偏氟乙烯)系聚合物在大气条件下放置至少30分钟的时段。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,所述聚(偏氟乙烯)系聚合物选自由聚(偏氟乙烯)(PVDF)、聚(偏氟乙烯-共-三氟乙烯)(PVDF-TrFE)、聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)(PVDF-HEP)、聚(偏氟乙烯-氯三氟乙烯)(PVDF-CTFE)、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)(PVDF-TrFE-CFE)、它们的衍生物以及它们的混合物组成的组中。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述聚(偏氟乙烯)系聚合物包括聚(偏氟乙烯)或基本上由聚(偏氟乙烯)组成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,所述导电单体选自由苯胺、吡咯、噻吩、联噻吩、呋喃、对亚苯、亚苯乙烯撑、对亚苯硫醚、亚噻吩-亚乙烯、乙炔、吲哚、咔唑、咪唑、吡啶、芘、薁、萘、它们的衍生物以及它们的混合物组成的组中。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述导电单体包括苯胺或基本上由苯胺组成。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中,所述酸选自由盐酸、硫酸、十二烷基苯磺酸、萘-2-磺酸、聚(4-苯乙烯磺酸)以及它们的混合物组成的组中。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述酸包括盐酸或基本上由盐酸组成。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法,其中,所述溶剂为水溶液。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法,其中,所述氧化剂选自由过硫酸铵(APS)、碘酸氢钾(KH(IO3)2)、氯化铁(III)以及它们的混合物组成的组中。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述氧化剂包括过硫酸铵(APS)或基本上由过硫酸铵(APS)组成。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法,其中,向所述溶液中加入氧化剂包括以逐滴方式向所述溶液中滴加所述氧化剂。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法,进一步包括在步骤c)之后向所述溶液中吹入空气以淬灭所述聚合反应。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法形成的聚(偏氟乙烯)系聚合物和至少一种类型的导电聚合物的接枝共聚物,其中,所述导电聚合物接枝在聚(偏氟乙烯)系聚合物上。
18.聚(偏氟乙烯)系聚合物和至少一种类型的导电聚合物的接枝共聚物,其中,所述导电聚合物接枝在聚(偏氟乙烯)系聚合物上。
19.根据权利要求18所述的接枝共聚物,其中,所述导电聚合物衍生自导电单体,所述导电单体选自由苯胺、吡咯、噻吩、联噻吩、呋喃、对亚苯、亚苯乙烯撑、对亚苯硫醚、亚噻吩-亚乙烯、乙炔、吲哚、咔唑、咪唑、吡啶、芘、薁和萘、它们的衍生物以及它们的混合物组成的组中。
20.根据权利要求19所述的接枝共聚物,其中,所述导电单体包括苯胺或基本上由苯胺组成。
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