[发明专利]复合氧化物烧结体、溅射靶、以及氧化物透明导电膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201280060478.2 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103987678B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 仓持豪人;玉野公章;饭草仁志;秋池良;涉田见哲夫 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 氧化物 烧结 溅射 以及 透明 导电 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合氧化物烧结体，其中，在将铟、锆及钇分别设定为In、Zr及Y时，以原子比计，Zr/(In+Zr+Y)为0.05～4.5at％，Y/(In+Zr+Y)为0.005～0.5at％。
2.如权利要求1所述的复合氧化物烧结体，其中，含有具有铟、锆、钇及氧作为构成元素的复合氧化物。
3.一种溅射靶，其由权利要求1或2所述的复合氧化物烧结体制成。
4.一种氧化物透明导电膜的制造方法，其具有使用权利要求3所述的溅射靶进行溅射的工序。
5.一种氧化物透明导电膜，其通过权利要求4所述的制造方法得到。
6.一种氧化物透明导电膜，其中，在将铟、锆及钇分别设定为In、Zr及Y时，Zr/(In+Zr+Y)为0.05～4.5at％，Y/(In+Zr+Y)为0.005～0.5at％。
7.如权利要求6所述的氧化物透明导电膜，其中，含有具有铟、锆、钇及氧作为构成元素的复合氧化物。
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