[发明专利]光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片，具有：

- 多个有源区（1），所述有源区彼此间隔地布置，以及

- 反射层（2），所述反射层被布置在所述多个有源区（1）的下侧（1a）上，其中

- 所述有源区（1）中的至少一个具有主延伸方向（R），

- 所述有源区（1）中的一个具有核心区（10），所述核心区利用第一半导体材料形成，

- 该有源区（1）具有有源层（11），所述有源层至少在横向于该有源区（1）的主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述核心区（10），

- 该有源区（1）具有覆盖层（12），所述覆盖层利用第二半导体材料形成并且至少在横向于该有源区（11）的主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述有源层（11），以及

- 所述反射层（2）被设立用于反射在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射。

2.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，其中

- 所述有源区（1）基于氮化物化合物半导体材料，

- 所述第一半导体材料外延地沉积到生长衬底（6）上，其中所述光电子半导体芯片没有所述生长衬底（6），

- 所述第一半导体材料的生长方向（z）基本上平行于所述主延伸方向（R），

- 所述有源区（1）的至少大部分具有在主延伸方向（R）上所确定的长度（L）和在垂直于主延伸方向（R）的平面中所确定的直径（D），其中长度（L）与直径（D）之比为至少3，

- 所述有源区（1）的至少大部分具有电流扩展层（13），所述电流扩展层至少在横向于主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述覆盖层（12），其中所述电流扩展层（13）对于在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射是可穿透的，

- 所述电流扩展层（13）利用透明导电氧化物形成，

- 所述电流扩展层（13）在该有源区（1）的长度（L）的至少大部分上延伸，

- 绝缘材料（4）被布置在所述多个有源区（1）之间，其中所述绝缘材料（4）对于在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射是可穿透的并且所述绝缘材料（4）至少在横向于主延伸方向（R）的方向（x、y）上包围所述有源区（1），

- 所述绝缘材料（4）至少部分地直接与电流扩展层（13）邻接，

- 所述反射层（2）部分地直接与所述绝缘材料（4）邻接，以及

- 所述有源区（1）的至少大部分在其朝向所述反射层（2）的下侧（5a）上具有钝化层（14），所述钝化层直接与该有源区（1）的核心区（10）和所述反射层（2）邻接。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，

其中所述第一半导体材料外延地沉积到生长衬底（6）上，其中所述光电子半导体芯片没有所述生长衬底（6）。

4.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，

其中所述第一半导体材料的生长方向（z）基本上平行于主延伸方向（R）。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，

其中该有源区（1）具有在主延伸方向（R）上所确定的长度（L）并且该有源区（1）具有在垂直于主延伸方向（R）的平面中所确定的直径（D），其中长度（L）与直径（D）之比为至少3。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，

其中该有源区（1）具有电流扩展层（13），所述电流扩展层至少在横向于主延伸方向（R）的方向（x、y）上遮盖所述覆盖层（12），其中所述电流扩展层（13）对于在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射是可穿透的。

7.根据上一权利要求所述的光电子半导体芯片，

其中所述电流扩展层（13）利用透明导电氧化物形成。

8.根据上述两个权利要求之一所述的光电子半导体芯片，

其中所述电流扩展层（13）在该有源区（1）的长度（L）的至少大部分上延伸。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，

其中绝缘材料（4）被布置在所述多个有源区（1）之间，其中所述绝缘材料（4）对于在运行中在所述有源层（11）中产生的电磁辐射是可穿透的并且所述绝缘材料（4）至少在横向于主延伸方向（R）的方向（x、y）上包围所述有源区（1）。