[发明专利]光隔离器

权利要求书

1.一种光隔离器，其用于320nm～633nm波长带，上述光隔离器的特征在于，包括：波长405nm中的费尔德常数为0.70分钟/(Oe·cm)以上的法拉第转子；以及第1中空磁铁与第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元，上述第1中空磁铁配置于上述法拉第转子的外周，上述第2中空磁铁单元及上述第3中空磁铁单元是在光轴上夹着上述第1中空磁铁而配置，

上述第2中空磁铁单元及上述第3中空磁铁单元包含相对于上述光轴而在90度方向上等分割的2个以上的磁铁，对上述法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(1)的范围内，配置上述法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(2)的范围内。

0.8×10⁴≦B≦1.5×10⁴   (1)

0.25≦L≦0.45   (2)

2.如权利要求1所述的光隔离器，其中，上述法拉第转子含有95重量％以上的下述式(I)所表示的氧化物.。

Yb₂O₃   (I)

3.如权利要求2所述的光隔离器，其中上述氧化物为单晶体。

4.如权利要求2所述的光隔离器，其中，上述氧化物为陶瓷。

5.如权利要求1-4中任一项所述的光隔离器，其中,上述法拉第转子在样品长L(cm)中具有1dB以下的插入损耗与30dB以上的消光比。

6.如权利要求1-5中任一项所述的光隔离器，其中上述第1中空磁铁与上述第2中空磁铁单元及上述第3中空磁铁单元包含钕-铁-硼(NdFeB)系磁铁。

7.如权利要求1-6中任一项所述的光隔离器，其中将上述第1中空磁铁的磁场极性设为光轴方向，使上述第2中空磁铁单元及上述第3中空磁铁单元的磁场极性在光轴法线方向上彼此相反。

8.如权利要求1-7中任一项所述的光隔离器，其中第2中空磁铁单元及上述第3中空磁铁单元是将圆筒磁铁按90度四分割的4块磁铁的集合体。

9.如权利要求1-8中任一项所述的光隔离器，还包括：

2片以上的平板双折射结晶及1片以上的45度旋光元件。

10.如权利要求9所述的光隔离器，其中上述平板双折射结晶的光学轴相对于光轴为大致45度方向，且厚度为1.0cm以上。

11.如权利要求1-10中任一项所述的光隔离器，其中上述第1中空磁铁、上述第2中空磁铁单元及上述第3中空磁铁单元被搭载于碳钢框体的内部。