[发明专利]有机场效应晶体管

权利要求书

1.一种包含栅极电极、源极电极和漏极电极的电子组件或器件，其中该电子组件或器件进一步包含提供在该源极电极与漏极电极之间的有机半导体(OSC)材料，其中该OSC材料包含

(a)由下式表示的聚合物：

其中A⁶和A⁷为

s表示整数1或2；t表示整数1或2；

M选自

v表示整数1或2；

R¹⁰¹和R¹⁰²为C₁-C₃₈烷基和n为5至1,000，和

(b)下式的化合物

其中

a为1或2；b为0或1；c为0或1；

R¹和R²相同或不同且为C₁-C₃₈烷基，

Ar¹、Ar²和Ar³为二价基团

R³为氢，

其中该式IIa化合物的含量基于该式Ib的聚合物与该式IIa化合物的量为0.1-99.9重量％。

2.根据权利要求1的电子组件或器件，其中该由式(Ib)表示的聚合物为下式的聚合物

R¹⁰¹和R¹⁰²为C₁-C₃₈烷基，和n为5至1000。

3.根据权利要求1或2的电子组件或器件，其中该式IIa的化合物为下式的化合物

其中R¹和R²相同且为C₁-C₃₈烷基。

4.根据权利要求1的电子组件或器件，其中该由式(Ib)表示的聚合物为式(Ib-1)的聚合物

其中R¹⁰¹和R¹⁰²为C₁-C₃₈烷基，和n为5至1000

且该式IIa的化合物为式(IIa-1)的化合物

其中R¹和R²相同且为C₁-C₃₈烷基。

5.根据权利要求1或2的电子组件或器件，其中该式IIa化合物的含量基于该式Ib的聚合物与该式IIa化合物的量为5-95重量％。

6.根据权利要求3的电子组件或器件，其中该式IIa化合物的含量基于该式Ib的聚合物与该式IIa化合物的量为5-95重量％。

7.根据权利要求4的电子组件或器件，其中该式IIa化合物的含量基于该式Ib的聚合物与该式IIa化合物的量为5-95重量％。

8.一种制备根据权利要求1-7中任一项的电子组件或器件的方法，其特征在于包含以下步骤：

(i)将如权利要求1-7中任一项所定义的一种或多种式IIa化合物与式Ib的聚合物，任选与溶剂或溶剂混合物混合，

(ii)将含有该式IIa化合物和该式Ib的聚合物的混合物或该溶剂施用至基材；和任选蒸发该溶剂以形成固体OSC层。

9.一种有机层，包含如权利要求1、2和4-7中任一项所定义的式Ib的聚合物和如权利要求1、3和4-7中任一项所定义的式IIa化合物。

10.根据权利要求9的有机层，其为半导体层。

11.一种配制剂，包含：

(a)如权利要求1、2和4-7中任一项所定义的式Ib的聚合物，

(b)如权利要求1、3和4-7中任一项所定义的式IIa化合物，和

(c)溶剂，或溶剂混合物。

12.根据权利要求9或10的有机层在有机半导体器件中的用途。

13.根据权利要求11的配制剂在制造有机层中的用途。

14.根据权利要求13的用途，其中有机层为半导体层。

15.一种设备，包含根据权利要求1-7中任一项的电子组件或器件或根据权利要求9或10的有机层。