[发明专利]电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和镓酞菁晶体

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，其包括：

支承体；和

形成于所述支承体上的感光层，

其中所述感光层包括本身含有由下式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体：

在式(1)中：

R¹至R¹⁰各自独立地表示选自氢原子、卤原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种，条件是R¹至R¹⁰中的至少之一表示选自用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种；和

X¹表示羰基和二羰基之一。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R¹至R¹⁰中的至少之一表示用取代或未取代的烷基取代的氨基。

3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中在所述用取代或未取代的烷基取代的氨基中所述取代或未取代的烷基包括选自用烷氧基取代的烷基、用芳基取代的烷基和未取代的烷基中的一种。

4.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中所述用取代或未取代的烷基取代的氨基包括二烷基氨基。

5.根据权利要求4所述的电子照相感光构件，其中所述二烷基氨基包括二甲基氨基和二乙基氨基之一。

6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R¹至R¹⁰中的至少之一表示取代或未取代的环氨基。

7.根据权利要求6所述的电子照相感光构件，其中所述取代或未取代的环氨基包括吗啉代基和1-哌啶子基之一。

8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述胺化合物包括由下式(2)表示的胺化合物：

在式(2)中，Et表示乙基。

9.根据权利要求1至8任一项所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体包括羟基镓酞菁晶体。

10.根据权利要求9所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。

11.根据权利要求10所述的电子照相感光构件，其中在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体进一步在27.4°处具有峰。

12.根据权利要求11所述的电子照相感光构件，其中在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体的27.4°处的峰强度相对于其7.4°处的峰强度为5％以上且100％以下。

13.根据权利要求9所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。

14.根据权利要求13所述的电子照相感光构件，其中在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体进一步在27.0°处具有峰。

15.根据权利要求1至8任一项所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体包括具有卤原子作为配体的镓酞菁晶体。

16.根据权利要求15所述的电子照相感光构件，其中所述具有卤原子作为配体的镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.1°和28.4°处具有峰的溴镓酞菁晶体。

17.根据权利要求15所述的电子照相感光构件，其中所述具有卤原子作为配体的镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为20.4°、27.1°、29.0°和33.2°处具有峰的碘镓酞菁晶体。