[发明专利]具有改进的电特性的绝缘体上半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构(1300)，其包括：

-第一半导体层(1101)，

-体半导体层(1103)，

-在所述第一半导体层(1101)与所述体半导体层(1103)之间的绝缘层(1102)，

-第一注入区(1220)，所述第一注入区(1220)至少部分地在所述绝缘层(1102)内；以及

-第二掺杂区(1310)，所述第二掺杂区(1310)至少部分地在所述体半导体层(1103)内，

其中，所述第一注入区(1220)具有在所述绝缘层(1102)内示出最大值以及在所述体半导体层(1103)内延伸的尾部的注入分布，以抑制所述第二掺杂区(1310)的第二掺杂材料(1304)在所述绝缘层(1102)内的扩散。

2.根据权利要求1所述的半导体结构(1300)，其中所述第二掺杂区(1310)的第二掺杂材料(1304)是硼、和/或BF2、和/或B18H22、和/或其它含硼分子种类中的任何一种。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构(1300)，其中所述第一注入区的第一材料(1207)是氟和/或氯。

4.根据前述权利要求中任何一项所述的半导体结构(1300)，其中所述第一注入区(1220)具有在40-80nm范围内的、优选的为75nm的厚度(T4,2003)。

5.根据前述权利要求中任何一项所述的半导体结构(1300)，其中所述第二掺杂区(1310)具有在150-400nm范围内的、优选的为200nm的厚度(T5)。

6.根据前述权利要求中任何一项所述的半导体结构(1300)，其中所述第一半导体层(1101)具有在8-20nm范围内的、优选的为12nm的厚度(T1)，并且/或者所述体半导体层(1103)具有在750-800μm范围内的、优选的为775μm的厚度(T3)，并且/或者所述绝缘层(1102)具有在8-40nm范围内的、优选的为25nm的厚度(T2)。

7.根据前述权利要求中任何一项所述的半导体结构(1300)，该半导体结构还包括形成在所述第一半导体层(1101)上的晶体管，其中所述体半导体层(1103)充当所述晶体管的背栅。

8.根据前述权利要求中任何一项所述的半导体结构(1300)，其中所述第一半导体层(1101)是Si、和/或应变Si、和/或SiGe、和/或Ge、和/或III-V层中的任何一种。

9.根据前述权利要求中任何一项所述的半导体结构(1300)，其中所述体半导体层(1103)是Si。

10.根据前述权利要求中任何一项所述的半导体结构(1300)，其中所述绝缘层(1102)是二氧化硅。

11.一种用于制造半导体结构的方法，所述半导体结构(1300)包括：第一半导体层(1101)；体半导体层(1103)；以及在所述第一半导体层(1101)与所述体半导体层(1103)之间的绝缘层(1102)；所述方法包括以下步骤：

-第一注入(S11)，在至少部分地在所述绝缘层(1102)内的第一注入区(1220)中执行所述第一注入(S11)，以及

-第二掺杂注入(S12)，所述第二掺杂注入(S12)在至少部分地在所述体半导体层(1103)内的第二掺杂区(1310)中执行，

其中，所述第一注入(S11)步骤被执行，使得所述第一注入区(1220)具有在所述绝缘层(1102)内示出最大值以及在所述体半导体层(1103)内延伸的尾部的注入分布，以抑制所述第二掺杂区(1310)的第二掺杂材料(1304)在所述绝缘层(1102)内的扩散。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一注入(S11)步骤包括：具有在5-15keV范围内的、优选的为10keV的能量和在10¹³-10¹⁴/cm²范围内的剂量的离子注入，并且/或者所述第二掺杂注入(S12)步骤包括：具有在20-60keV范围内的、优选的为30keV的能量和在10¹³-2.10¹⁴/cm²范围内的、优选的为5.10¹³/cm²的剂量的离子注入。