[发明专利]制备放射性同位素的方法和设备

权利要求书

1.一种用于生产放射性同位素的方法，包括：

使用由粒子加速器产生的给定电流强度的粒子束照射容纳在靶的密封室中的一定体积的放射性同位素前体流体；

冷却所述靶；以及

测量所述密封室中的内部压力；

其特征在于：

在所述照射期间允许自由地建立所述密封室中的所述内部压力(P)；且

当所述密封室中的内部压力(P)移至第一容限范围外时，所述照射被中断或其强度降低，所述第一容限范围确定为在所述照射期间对所述密封室中的内部压力的变化有影响的不同的参数的函数，针对给定的靶、给定的粒子束和给定的放射性同位素前体流体，所述参数包括所述密封室的填充程度、所述靶的冷却能力和所述束电流强度(I)。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

针对给定体积的放射性同位素前体流体和给定的所述靶的冷却能力，定义曲线P＝f(I)，其给出在不同的束电流强度(I)下，所述密封室的内部压力(P)；

所述第一容限范围具有根据所述曲线P＝f(I)，针对所述给定的束电流强度(I)定义的压力下限和压力上限；

所述内部压力的下限定义为比针对所述给定的束电流强度(I)从所述曲线P＝f(I)推出的压力值低，优选低5％至20％之间；且

所述内部压力的上限是介于针对所述给定的束电流强度(I)从所述曲线P＝f(I)推出的压力值与所述密封室的标称压力值(Pmax)之间的压力，所述标称压力值(Pmax)取值为表示所述密封室保证的最大压力值。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一容限范围中的内部压力的上限比所述密封室的标称压力值(Pmax)低至少20％。

4.如权利要求2或3所述的方法，其中所述第一容限范围中的内部压力的上限比针对所述给定的束电流强度(I)从所述曲线P＝f(I)推出的压力值高5至10bar之间，并且其最大值是比所述密封室的标称压力值(Pmax)低的压力值(P2)。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中当所述密封室中的内部压力(P)移至第二容限范围外时，控制装置触发警报，所述第二容限范围定义为在照射期间对所述密封室中的内部压力的变化有影响的不同的参数的函数，所述第二容限范围包括在所述第一容限范围内。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

曲线P＝f(I)是针对给定体积的放射性同位素前体流体和给定的所述靶的冷却能力而确定的，给出在不同的束电流强度(I)下所述密封室的内部压力(P)；

所述第一容限范围具有根据所述曲线P＝f(I)针对所述给定的束电流强度(I)定义的压力下限和压力上限；

所述第二容限范围具有根据所述曲线P＝f(I)定义的压力下限和压力上限；

所述第二容限范围中的内部压力的下限定义为比针对所述给定的束电流强度(I)从所述曲线P＝f(I)推出的压力值低，优选低至少2％，同时保持高于所述第一容限范围中的内部压力的下限；且

所述第二容限范围中的内部压力的上限定义为比针对所述给定的束电流强度(I)从所述曲线P＝f(I)推出的压力值高，同时保持低于所述第一容限范围中的内部压力的上限。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中当所述密封室中的内部压力(P)超过所述第一容限范围内设定的内部压力的上限时，束电流减小。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中针对设想的束电流在实验上优化所述密封室的填充程度。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述放射性同位素前体是¹¹C、¹³N、¹⁵O或¹⁸F的前体。

10.一种用于实施根据前述权利要求中的任一项所述的方法的设备，包括：

具有能够容纳一定体积的前体流体的密封室的靶，所述密封室保证能经受标称压力(Pmax)；

能产生给定电流强度(I)的加速粒子束并将其引导至所述靶上的粒子加速器；

监视所述密封室的内部压力的系统；

其特征在于，所述设备包括控制装置，所述控制装置被编程为当所述密封室中的内部压力(P)移至第一容限范围外时，中断所述粒子束，所述第一容限范围确定为在照射期间对所述密封室中的内部压力的变化有影响的不同的参数的函数。