[发明专利]提供不透气性改进的多层结构

权利要求书

1.一种多层结构，所述多层结构包括基底(2)和第一叠层，所述第一叠层由SiO₂层(A)和SiO_xN_yH_z类材料层(B)组成，所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)位于所述基底(2)和所述SiO₂层(A)之间；其中，所述SiO₂层(A)和所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)具有厚度(e_B、e_A)，以便所述SiO₂层(A)的厚度小于或等于60nm，所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)的厚度(e_B)为所述SiO₂层(A)的厚度(e_A)的两倍以上，并且所述SiO₂层(A)的厚度与所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)的厚度的总和在100nm至500nm之间；并且其中，z严格地为正值并且z严格地小于比值(x+y)/5，并且有利地，z严格地小于比值(x+y)/10。

2.根据权利要求1所述的多层结构，其中，沿着从在所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)和所述SiO₂层之间的界面到所述基底的方向，x的值降低；并且沿着从在所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)和所述SiO₂层之间的界面到所述基底的方向，y的值增加。

3.根据权利要求2所述的多层结构，其中，x在2至0之间发生变动，和/或y在0至1之间发生变动。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层结构，其中，所述SiO₂层(A)的材料具有大于或等于30GPa的杨氏模量，并且所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)具有小于或等于20GPa的杨氏模量(M_B)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的多层结构，所述多层结构的叠层具有大于1.5的折射率。

6.根据权利要求4或5所述的多层结构，其中，所述叠层是通过转化全氢聚硅氮烷类的无机前体而得到的；其中，在基底是由聚合物材料制成的情况下，所述叠层具有的对应于Si-H键的透射比大于所述全氢聚硅氮烷类的无机前体在转化之前的Si-H键的透射比的80％，有利地大于所述全氢聚硅氮烷类的无机前体在转化之前的Si-H键的透射比的90％，所述透射比通过红外反射光谱法测量。

7.根据权利要求4或5所述的多层结构，其中，所述叠层是通过转化全氢聚硅氮烷类的无机前体而得到；其中，在硅基底的情况下，所述叠层具有的对应于Si-H键的吸光度小于所述全氢聚硅氮烷类的无机前体在转化之前的Si-H键的吸光度的20％，有利地小于所述全氢聚硅氮烷类的无机前体在转化之前的Si-H键的吸光度的10％，所述吸光度通过红外透射光谱法测量。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的多层结构，其中，所述SiO₂层(A)和由SiO_xN_yH_z类材料制成的层(B)由无定形材料制成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的多层结构，其中，所述基底(2)由聚合物材料制成。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的多层结构，所述多层结构包括聚合物材料层(4)，所述聚合物材料层(4)在所述第一叠层的SiO₂层(A)的与由SiO_xN_yH_z类材料制成的层(B)相接触的面相反的面上。