[发明专利]在高频范围内作为电介质的微晶玻璃

权利要求书

1.一种微晶玻璃，其至少具有以下成分(基于氧化物以摩尔％计)：

其中RE是镧、另外的镧系元素或钇，且其中Ti可以部分地、优选限定的Ti含量的最高达10％被Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替，且其中孔隙率<0.5％。

2.根据权利要求1所述的微晶玻璃，其至少具有以下成分(基于氧化物以摩尔％计)：

其中RE是镧、另外的镧系元素或钇，且其中Ti可以部分地、优选限定的Ti含量的最高达10％被Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替。

3.一种微晶玻璃，其至少具有以下成分(基于氧化物以摩尔％计)：

其中RE是镧、另外的镧系元素或钇，且其中Ti可以部分地、优选限定的Ti含量的最高达10％被Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替，且其中孔隙率<0.5％。

4.根据权利要求3所述的微晶玻璃，其包含15摩尔％到30摩尔％的La₂O₃。

5.根据权利要求3或4所述的微晶玻璃，其包含15摩尔％到30摩尔％的Nd₂O₃。

6.根据权利要求1或2所述的微晶玻璃，其中B₂O₃的分数<9摩尔％、优选≤8摩尔％。

7.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其中所述孔隙率<0.1％、优选<0.01％。

8.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其中所述TiO₂含量大于41摩尔％。

9.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其包含0.01摩尔％到最高达3摩尔％的至少一种优选选自As₂O₃和Sb₂O₃的精炼剂。

10.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其在高频范围内(频率f>200MHz)具有不超过10^-2、优选不超过10^-3的介电损耗(tanδ)。

11.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其具有至少15、优选>18、优选在20到80的范围内的相对介电常数ε。

12.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其中谐振频率的温度依赖性的绝对值|τ_f|不超过200ppm/K、优选不超过50ppm/K、更优选不超过10ppm/K。

13.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其包含至少一个基于RE、Ti、Si、O和任选地Ba的固溶相，其中Ba可以至少部分地被Sr、Ca、Mg代替，其中RE是镧系元素或钇，且其中Ti可以至少部分地被Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替。

14.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其包含至少一个选自(BaO)_x(RE₂O₃)_y(SiO₂)_z(TiO₂)_u的固溶相，其中RE是镧、另外的镧系元素或钇，其中最高达10％的Ba可以被Sr、Ca、Mg代替，且其中最高达10％的Ti可以被Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替。

15.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其具有至少30体积％、优选最高达95体积％的晶化率。

16.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的微晶玻璃，其具有10纳米到50微米、优选100纳米到1微米的平均晶粒尺寸。