[发明专利]用于在基底上形成金纳米线的方法及由该方法形成的金纳米线

权利要求书

1.一种用于在基底上形成金纳米线的方法，所述方法包括：

a)附着贵金属纳米颗粒到所述基底上；

b)使附着在所述基底上的所述贵金属纳米颗粒接触包含配位体、金离子和还原剂的水溶液，其中，所述配位体为具有巯基的有机化合物；和

c)在所述基底上生长所述金纳米线，其中，所述金纳米线中的每个从所述基底扩展生长。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述配位体的含量足以覆盖所述贵金属纳米颗粒的一部分表面，以形成所述金纳米线。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述配位体为通式I的化合物：

其中，A为取代或未取代的直链或支链的C₁-C₆烷基、取代或未取代的单环的、稠合多环的或桥接的C₅-C₂₀芳基或杂芳基，其中，在所述杂芳基中，1至4个碳原子被O、N或S取代，并且其中，R₁选自-H，-OH，-COOH，-CONH₂，-NH₂，-NO₂，-SO₃H，-OSO₃H，-OP(＝O)(OH)₂，被选自由-OH、-COOH、-CONH₂、-NH₂、-NO₂、-SO₃H、-OSO₃H和-OP(＝O)(OH)₂组成的组中的一个或多个取代基取代的C₁-C₄烷基。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述配位体为通式II的化合物：

其中，R₁选自-H，-OH，-COOH，-CONH₂，-NH₂，-NO₂，-SO₃H，-OSO₃H，-OP(＝O)(OH)₂，被选自由-OH、-COOH、-CONH₂、-NH₂、-NO₂、-SO₃H、-OSO₃H和-OP(＝O)(OH)₂组成的组中的一个或多个取代基取代的C₁-C₄烷基，并且其中，R₁在相对于所述巯基的间位或对位上；每个R₂独立地选自由-H、-OH、-COOH、-CONH₂、-NH₂、-NO₂、-SO₃H、-OSO₃H、-OP(＝O)(OH)₂和取代或未取代的C₁-C₄烷基组成的组中，并且

其中n为0、1、2、3或4。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述配位体选自由4-巯基-苯乙酸(4-MPAA)、4-巯基苯甲酸(4-MBA)、3-巯基苯甲酸(3-MBA)、4-巯基苯酚(4-MPN)和它们的混合物组成的组中。

6.如权利要求3所述的方法，其中，所述配位体包括4-巯基苯甲酸(4-MBA)。

7.如权利要求3所述的方法，其中，所述配位体由4-巯基苯甲酸(4-MBA)组成。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述配位体在所述溶液中的浓度在0.1mM至1.4mM的范围内。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底选自由二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锶钛、氧化镧铝、碳酸钙、硅、纸、玻璃、聚合物和它们的组合组成的组中。