[发明专利]存储元件、存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

分层结构体，所述分层结构体包括：

存储层，具有与膜面垂直的磁化，其中，所述磁化的方向根据信息而改变，所述存储层包括多层结构层，其中，非磁性材料和氧化物被层压，所述存储层的所述磁化的方向通过在所述分层结构体的层压方向上施加电流来改变以将所述信息记录在所述存储层中，

磁化固定层，具有成为存储在所述存储层中的所述信息的基准的、与所述膜面垂直的磁化，以及

中间层，由非磁性材料形成并设置在所述存储层与所述磁化固定层之间。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述非磁性材料包括Cu、Ag、Au、V、Ta、Zr、Nb、Hf、W、Mo及Cr中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述氧化物包括氧化硅、氧化镁、氧化钽、氧化铝、氧化钴、氧化锆、氧化钛及氧化铬中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

包括所述非磁性材料和所述氧化物的至少两个所述多层结构层形成在所述存储层中。

5.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

形成所述存储层的铁磁性材料为Co-Fe-B。

6.一种存储装置，包括：

存储元件，基于磁性材料的磁化状态保持信息，所述存储元件包括分层结构体，所述分层结构体包括：

存储层，具有与膜面垂直的磁化，其中，所述磁化的方向根据信息而改变，所述存储层的所述磁化的方向通过在所述分层结构体的层压方向上施加电流来改变以将所述信息记录在所述存储层中，所述存储层包括多层结构层，其中，非磁性材料和氧化物被层压，

磁化固定层，具有成为存储在所述存储层中的所述信息的基准的、与所述膜面垂直的磁化，以及

中间层，由非磁性材料形成并设置在所述存储层与所述磁化固定层之间；以及

彼此交叉的两种互连件，所述存储元件被设置在所述两种互连件之间，所述层压方向上的电流通过所述两种互连件被施加至所述存储元件。