[发明专利]用于增加机电式保护继电器的速度的方法及电路有效
申请号: | 201280057104.5 | 申请日: | 2012-11-05 |
公开(公告)号: | CN104054152B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | M·C·贾科贝 | 申请(专利权)人: | ABB技术有限公司 |
主分类号: | H01H47/10 | 分类号: | H01H47/10;H01H47/32 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张臻贤 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 增加 机电 保护 继电器 速度 方法 电路 | ||
1.一种增加机电式继电器的速度的方法,所述方法包括步骤:
提供具有线圈和至少一个触头的机电式继电器,
提供第一电阻器和第二电阻器,每个电阻器均与所述线圈串联,其中所述第二电阻器与第一开关并联,
提供电压至所述第一开关,所述第一开关导通,由此短路所述第二电阻器并且提供通过所述第一电阻器并且至所述线圈的第一电流,以将所述触头移动至闭合位置,以及
在一定时间量之后,关断所述第一开关,使得提供通过所述第一电阻器和所述第二电阻器并且至所述线圈的第二电流,将所述触头维持在所述闭合位置。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一开关为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
3.如权利要求1所述的方法,其中关断所述第一开关的步骤包括使用第二开关。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述第二开关为MOSFET。
5.如权利要求1所述的方法,进一步提供晶体管,使得所述第一电流为所述晶体管的Vbe除以所述第一电阻器的阻值。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述第二电流为所述晶体管的Vbe除以所述第二电阻器的阻值加上所述第一电阻器的阻值。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述机电式继电器被提供作为用于保护断路器的保护继电器的输出继电器。
8.一种用于增加机电式继电器的速度的电路结构,所述电路包括:
机电式继电器,其具有线圈和至少一个触头,
第一电阻器和第二电阻器,每个电阻器均与所述线圈串联,其中所述第二电阻器与第一开关并联,
电压源,其被构造并且设置为当所述第一开关导通时提供电压至所述第一开关以短路所述第二电阻器并且提供通过所述第一电阻器并且至所述线圈的第一电流,以将所述触头移动至闭合位置,以及
第二开关,其被构造并且设置为关断所述第一开关,使得提供通过所述第一电阻器和所述第二电阻器并且至所述线圈的第二电流,将所述触头维持在所述闭合位置。
9.如权利要求8所述的电路结构,其中所述第一开关为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
10.如权利要求8所述的电路结构,其中所述第二开关为MOSFET。
11.如权利要求8所述的电路结构,进一步包含晶体管,并且其中所述第一电流为所述晶体管的Vbe除以所述第一电阻器的阻值。
12.如权利要求11所述的电路结构,其中所述第二电流为所述晶体管的Vbe除以所述第二电阻器的阻值加上所述第一电阻器的阻值。
13.如权利要求8所述的电路结构,其中所述机电式继电器为保护继电器的输出继电器,所述保护继电器被构造和设置成保护断路器。
14.如权利要求13所述的电路结构,与所述断路器组合。
15.如权利要求8所述的电路结构,其中所述第二开关是定时电路的一部分并且被构造和设置为在所述第一开关已经导通之后的一定时间关断所述第一开关以所述将第二电阻器短路。
16.如权利要求15所述的电路结构,其中所述定时电路包括被构造和设置为确定所述一定时间的电阻器和电容器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ABB技术有限公司,未经ABB技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280057104.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种喷水织机废水处理回用方法
- 下一篇:新吸收性制品及其制作方法