[发明专利]去除传导材料以在衬底中形成传导特征

权利要求书

1.一种用于形成传导特征的方法，包括：

在衬底中形成孔，其中所述孔包括在所述孔的外边缘上的第一槽，并且其中所述第一槽穿越所述孔的竖直尺度；

在所述衬底中形成所述孔之后，向所述孔中沉积传导材料，使得包括所述第一槽的所述孔由所述传导材料填充；并且

去除所述传导材料的占据所述孔的第一纵向部分的部分，使得占据所述孔的第二纵向部分的至少一个传导特征保留在所述衬底中，其中所述至少一个传导特征至少部分地设置在所述第一槽内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一槽从所述孔的中心向外延伸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中至少部分地从所述孔的中心部分去除所述传导材料的所述部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述孔为圆形、多边形或者不规则形状。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在去除所述传导材料的所述部分之后向所述孔中沉积电介质材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述孔包括在所述孔的外边缘上的多个槽，所述多个槽中的每个槽穿越所述孔的竖直尺度，并且所述多个槽包括所述第一槽；并且

去除所述传导材料的所述部分包括去除所述传导材料的所述部分以使得多个传导特征对应地至少部分设置于所述多个槽中。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个传导特征相互物理地分离。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底中形成所述孔包括钻出所述孔。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述孔包括中心部分和多个侧部特征，其中所述多个侧部特征包括所述第一槽。

10.一种具有传导特征的装置，包括：

衬底；

在所述衬底内限定的孔，其中所述孔包括在所述孔的外边缘上的第一槽，并且其中所述第一槽从所述衬底的顶表面向所述衬底的底表面穿越；以及

第一传导特征，从所述衬底的所述顶表面向所述衬底的所述底表面穿越，所述第一传导特征通过(i)向所述孔中沉积传导材料以使得包括所述第一槽的所述孔由所述传导材料填充以及(ii)去除向所述衬底中的所述孔中沉积的所述传导物质的纵向连续部分来形成，其中所述第一传导特征至少部分地设置在所述第一槽内。

11.根据权利要求10所述的装置，还包括从所述衬底的所述顶表面向所述衬底的所述底表面穿越的第二传导特征，所述第二传导特征也通过去除所述传导物质的所述纵向连续部分来形成，其中所述第一传导特征和所述第二传导特征相互物理地分离。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第一传导特征和所述第二传导特征是硅通孔。

13.根据权利要求11所述的装置，其中在所述第一传导特征与所述第二传导特征之间的距离小于20μm。

14.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一传导特征的最宽横向部分小于20μm。

15.根据权利要求10所述的装置，其中所述传导物质的所述纵向连续部分从所述孔的至少内部分被去除。

16.根据权利要求10所述的装置，还包括向所述孔中沉积的电介质材料。

17.根据权利要求10所述的装置，其中：

所述孔包括中心部分和多个侧部特征；并且

所述多个侧部特征包括所述第一槽。

18.根据权利要求17所述的装置，其中所述多个侧部特征为圆形、三角形或者多边形。

19.根据权利要求10所述的装置，其中所述孔为圆形、多边形或者不规则形状。