[发明专利]用于恢复阵发模式脉宽调制(PWM)和非归零(NRZ)数据的装置和方法有效
申请号: | 201280056615.5 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103947116A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | Z·朱;X·孔;N·V·丹恩 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03L7/08 | 分类号: | H03L7/08;H04L7/033 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 周敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 恢复 阵发 模式 脉宽调制 pwm 非归零 nrz 数据 装置 方法 | ||
1.一种1/4速率选通压控振荡器,包括:
第一延迟单元,所述第一延迟单元包括耦合到第一相移恢复时钟的第一输入端子、耦合到第二相移恢复时钟的第二输入端子、以及输出第三相移恢复时钟信号的输出端子;
第二延迟单元,所述第二延迟单元包括输出第四相移恢复时钟信号的输出端子、耦合到所述第二延迟单元的输出端子的第一输入端子、以及耦合到所述第一延迟单元的输出端子的第二输入端子;
第三延迟单元,所述第三延迟单元包括输出第三相移恢复时钟信号的输出端子、耦合到所述第一延迟单元的输出端子的第一输入端子、以及耦合到所述第二延迟单元的输出端子的第二输入端子;以及
第四延迟单元,所述第四延迟单元包括输出第二相移恢复时钟信号的输出端子、耦合到所述第四延迟单元的输出端子的第一输入端子、以及耦合到所述第三延迟单元的输出的第二输入端子,
其中,所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元的输出端子具有相同的负载。
2.如权利要求1所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元进一步包括被配置成接收能在第一值和第二值之间切换的选择信号的选择输入,并且其中所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元被配置成响应于所述选择信号的可切换值,选择性地在其第一输入端子和其第二输入端子之间进行切换。
3.如权利要求2所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元被配置成关于从其第一输入端子和第二输入端子中选择的一个输入端子到其输出端子的传输施加大致相同的延迟。
4.如权利要求3所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,延迟为给定比特持续时间的约1/2,并且其中所述1/4速率选通压控振荡器以等于该延迟的倒数的四分之一的频率振荡。
5.如权利要求4所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元均包括偏压输入端子,并且其中所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元关于从其第一输入端子和第二输入端子中选择的一个输入端子到其输出端子的传输施加至少部分地取决于施加到所述偏压输入端子的偏置电压的延迟。
6.如权利要求2所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元均包括偏压输入端子,并且其中所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元关于从其第一输入端子和第二输入端子中选择的一个输入端子到其输出端子的传输施加至少部分地取决于施加到所述偏压输入端子的偏置电压的延迟。
7.如权利要求1所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元被配置成施加相应的延迟,其中在所述相应的延迟处,所述第一相移恢复时钟、所述第二相移恢复时钟、所述第三相移恢复时钟和所述第四相移恢复时钟在相位上大致相等地间隔。
8.如权利要求7所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元进一步包括被配置成接收具有在第一值和第二值之间的跃变的选择信号的选择输入,并且其中所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元被配置成响应于所述选择信号的值而选择性地在其第一输入端子和其第二输入端子之间进行切换,以使所述第一相移恢复时钟、第二相移恢复时钟、第三相移恢复时钟和第四相移恢复时钟的相位与所述选择信号的跃变对齐。
9.如权利要求1所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,所述第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元和第四延迟单元中的每一个延迟单元被相同地结构化。
10.如权利要求1所述的1/4速率选通压控振荡器,其特征在于,所述振荡器被集成在至少一个半导体管芯中。
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