[发明专利]基于碳SiOC的碱金属阻挡层

权利要求书

1.包括透明玻璃基材和透明碳氧化硅(SiO_xC_y)层的窗玻璃，其中所述透明玻璃基材含有至少一种碱金属的离子，所述透明碳氧化硅(SiO_xC_y)层具有总厚度E并且具有

(a)富碳的深区域，其从深度P₃延伸到深度P₄，其中C/Si原子比大于或等于0.5，及

(b)贫碳的浅表区域，其从深度P₁延伸到深度P₂，其中C/Si原子比小于或等于0.4，以及

P₁＜P₂＜P₃＜P₄，和(P₂-P₁)+(P₄-P₃)＜E，在P₁和P₂之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％，和在P₃和P₄之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％。

2.如权利要求1所述的窗玻璃，其特征在于，所述SiO_xC层的总厚度E为10-200nm，优选20-100nm，特别是40-70nm。

3.如权利要求1或2所述的窗玻璃，其特征在于，所述透明的碳氧化硅层是具有1.45-1.9的折射指数的非多几层。

4.如前述权利要求任何一项中所述的窗玻璃，其特征在于它具有-2至+3，尤其-1.5至+2.0的b*值(CIELab)。

5.一种用于制造如前述权利要求任何一项中所述窗玻璃的方法，其特征在于，包括：

(a)在无机玻璃基材至少一部分表面上化学气相沉积(CVD)富碳的碳氧化硅层的第一步骤，在600℃-680℃的温度下，通过使所述表面与含有乙烯(C₂H₄)、硅烷(SiH₄)，二氧化碳(CO₂)和氮气(N₂)的气体流接触来进行，在步骤(a)期间乙烯/硅烷(C₂H₄/SiH₄)体积比小于或等于3.3，

(b1)在600℃-680℃的温度下，使用含有乙烯(C₂H₄)、硅烷(SiH₄)，二氧化碳(CO₂)和氮气(N₂)的气体流，在步骤(a)中获得的富碳层上化学气相沉积(CVD)贫碳的碳氧化硅层的第二步骤，在步骤(b1)期间的乙烯/硅烷(C₂H₄/SiH₄)体积比大于3.4，或

(b2)在步骤(a)中获得的富碳层上，通过CVD、等离子增强CVD(PECVD)或磁控阴极溅射沉积二氧化硅(SiO₂)层的第二步骤。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括在580℃-700℃，优选600℃-680℃温度的退火和/或成型步骤。