[发明专利]固体摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像装置，具备被配置成矩阵状的多个像素，所述固体摄像装置具备：

半导体衬底；

第一电极，按每个所述像素被形成在所述半导体衬底的上方，且与相邻的所述像素电分离；

光电转换膜，被形成在所述第一电极上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；

第二电极，被形成在所述光电转换膜上；

电荷积蓄区域，按每个所述像素被形成在所述半导体衬底，且与对应的像素的所述第一电极电连接，积蓄由所述光电转换膜进行光电转换而生成的所述信号电荷；

复位栅极电极，按每个所述像素被形成，且对所述半导体衬底的通道的形成进行控制，利用通过所述通道的电荷，将对应的像素的所述电荷积蓄区域的电位复位；

放大晶体管，按每个所述像素被形成，且对被积蓄在对应的像素的所述电荷积蓄区域中的所述信号电荷进行放大；

接触插塞，按每个所述像素被形成，且与对应的像素的所述电荷积蓄区域接触，并且用于使对应的像素的所述第一电极与所述电荷积蓄区域电连接；

高浓度杂质区域，被形成在所述电荷积蓄区域的表面中的、与所述接触插塞接触的区域，且所述高浓度杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相同；

表面杂质区域，被形成在所述电荷积蓄区域的表面中的、不与所述接触插塞接触的区域，且所述表面杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相反；以及

低浓度杂质区域，被形成在所述电荷积蓄区域的表面中的、所述高浓度杂质区域与所述表面杂质区域之间，且所述低浓度杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相同或相反；

所述接触插塞含有硅或锗。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，

决定所述低浓度杂质区域的导电型的杂质的浓度，比决定所述高浓度杂质区域的导电型的杂质的浓度以及决定所述表面杂质区域的导电型的杂质的浓度低。

3.如权利要求2所述的固体摄像装置，

决定所述低浓度杂质区域的导电型的杂质的浓度，比决定所述电荷积蓄区域的导电型的杂质的浓度高。

4.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述信号电荷的极性，与决定所述电荷积蓄区域的导电型的多数载流子的极性相反。

5.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述固体摄像装置还具备：

由绝缘体构成的元件分离区域，被形成在所述半导体衬底，且将所述电荷积蓄区域、与所述放大晶体管被形成的晶体管区域以及相邻的像素的所述电荷积蓄区域分离；以及

元件分离杂质区域，被形成在所述半导体衬底的所述元件分离区域与所述电荷积蓄区域之间，且所述元件分离杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相反，

所述元件分离杂质区域的杂质浓度比所述电荷积蓄区域的杂质浓度高。

6.如权利要求5所述的固体摄像装置，

所述表面杂质区域与所述元件分离杂质区域电连接。

7.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述固体摄像装置还具备：

栅极氧化膜，与所述电荷积蓄区域的表面的一部分接触；以及

绝缘性的侧壁，与所述栅极氧化膜的表面以及所述接触插塞的侧面接触。

8.如权利要求7所述的固体摄像装置，

在形成所述低浓度杂质区域后，形成所述侧壁，然后，所述高浓度杂质区域通过自对准而形成。