[发明专利]用于ESD保护的垂直切换的构造有效
申请号: | 201280056095.8 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103999217B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | R·弗莱明;M·格利克曼;B·格莱顿;J·吴;D·瓦塞奎兹 | 申请(专利权)人: | 保险丝公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 李向英 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 esd 保护 垂直 切换 构造 | ||
1.一种包含在衬底中的垂直切换的电压可切换介电材料VSDM构造,所述VSDM构造包括:
a.布置在所述衬底的第一水平层中的第一导电元件和布置在所述衬底的第二水平层中的第二导电元件,所述第二水平层不同于所述第一水平层;
b.具有特征电压和垂直厚度的VSDM结构,所述VSDM结构布置在所述衬底的第三水平层中,所述第三水平层不同于所述第一水平层和所述第二水平层;以及
c.至少部分地嵌入在所述衬底中的电路元件,所述电路元件具有阻抗;以及
d.其中,所述VSDM结构适用于变得跨其垂直厚度导电,并响应于超出所述特征电压的ESD脉冲,在具有第一电压电平的第一导电元件和具有第二电压电平的第二导电元件之间传导电流,其中所述第一电压电平等于所述第二电压电平。
2.如权利要求1所述的构造,其中,所述第一导电元件是分层互连、Z轴导电带、银浆、铜浆、涂银的铜层、碳层、导电环氧树脂、导电聚合物、电极、衬垫、引线、迹线、通道、线路或信号层。
3.如权利要求1所述的构造,其中,所述垂直厚度小于2密耳。
4.如权利要求1所述的构造,其中,所述衬底是以下之中的一个:单层PCB或多层PCB的组;半导体器件封装;LED衬底;集成电路IC衬底;中介层;连接两个或更多电子组件、器件或衬底的平台;晶片级别封装;封装内的封装;系统中封装;或至少两个封装或衬底的堆叠的组合。
5.如权利要求1所述的构造,还包括电子设备。
6.如权利要求5所述的构造,其中,所述电子设备是以下之中的一个:移动电话、平板电脑、电子阅读器、移动计算机、台式计算机、服务器计算机、视频显示器、音乐播放器、个人健康管理设备或发光模块。
7.根据权利要求5所述的构造,其中所述电子设备是电视机。
8.根据权利要求5所述的构造,其中所述电子设备是发光二极管LED或包括至少一个LED的设备。
9.如权利要求1所述的构造,其中,所述电路元件包括下列各项中的至少一项:电阻器、感应器、电容器、铁性体电路元件、铁性体VSDM电路元件、二极管、晶体管、过滤器或具有阻抗的分层互连。
10.一种包括衬底和垂直切换的电压可切换介电材料VSDM构造的电子设备,所述VSDM构造被包含在所述衬底中,所述衬底包括三个不同的水平层,所述VSDM构造包括:
a.布置在第一水平层中的第一导电元件和布置在第二水平层中的第二导电元件;
b.具有特征电压和垂直厚度的VSDM结构,所述VSDM结构布置在第三水平层中;以及
c.至少部分地嵌入在所述衬底中的电路元件,所述电路元件具有阻抗;以及
d.其中,所述VSDM结构适用于变得跨其垂直厚度导电,并响应于超出所述特征电压的ESD脉冲,在具有第一电压电平的第一导电元件和具有第二电压电平的第二导电元件之间传导电流,所述第一电压电平等于所述第二电压电平,并且所述VSDM构造向所述电子设备提供ESD保护。
11.如权利要求10所述的电子设备,其中,所述电子设备是以下之中的至少一个:移动电话、平板电脑、电子阅读器、移动计算机、台式计算机、服务器计算机、视频显示器、音乐播放器、个人健康管理设备、发光模块、卫星或航空仪表。
12.如权利要求10所述的电子设备,其中所述电子设备是电视机。
13.如权利要求10所述的电子设备,其中所述电子设备是发光二极管LED或包括至少一个LED的设备。
14.如权利要求10所述的电子设备,其中,所述第一导电元件是分层互连、Z轴导电带、银浆、铜浆、涂银的铜层、碳层、导电环氧树脂、导电聚合物、电极、衬垫、引线、迹线、通道、线路或信号层。
15.如权利要求10所述的电子设备,其中,所述垂直厚度小于2密耳。
16.如权利要求10所述的电子设备,其中,所述衬底是以下之中的一个:单层PCB或多层PCB的组;半导体器件封装;LED衬底;集成电路IC衬底;连接两个或更多电子组件、器件或衬底的平台;中介层;晶片级别封装;封装内的封装;系统中封装;或至少两个封装或衬底的堆叠的组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保险丝公司,未经保险丝公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280056095.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:中门锁体卡紧装置
- 下一篇:磁编码钥匙的磁解锁装置以及磁解锁结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的