[发明专利]电感增强型旋转行波振荡电路和方法

权利要求书

1.一种交错旋转行波振荡器，包括：

第一旋转行波振荡器(RTWO)包括第一对导线和第一分频器，所述第一对导线与第一分频器连接以形成第一闭合回路；

第二旋转行波振荡器(RTWO)包括第二对导线和第二分频器，所述第二对导线与第二分频器连接以形成第二闭合回路；

所述第二闭合回路与所述第一闭合回路占有近似相同的物理区域；

所述第一和第二分频器的导线空间上隔开，并在一个足够的长度上相互平行，使得所述分频器的电感增大。

2.根据权利要求1所述的交错振荡器，其中，所述第一对导线的第一导线和第二对导线的第一导线是直接相邻，所述第一对导线的第二导线和第二对导线的第二导线是直接相邻。

3.根据权利要求1或2所述的交错振荡器，其中，任何在所述分频器的平行导线中流过的电流以相同的方向流动。

4.根据权利要求1至3中任一所述的交错振荡器，其中，所述第一分频器的导线互相堆叠，并一起布置在一个接地平面上；所述第二分频器的导线互相堆叠，并一起布置在一个接地平面上；所述第一分频器的导线和所述第二分频器的导线在横向上彼此相邻。

5.根据权利要求1至3中任一所述的交错振荡器，其中所述第一和第二分频器的导线被布置在一个接地平面，并且横向上彼此相邻。

6.根据权利要求1至5中任一所述的交错振荡器，其中第一和第二RTWO通过一个阻抗被互相耦合，使得每个RTWO具有降低了的相位噪声。

7.根据权利要求6所述的交错振荡器，其特征在于，耦合阻抗是电感性的。

8.根据权利要求6所述的交错振荡器，其特征在于，耦合阻抗是电阻性。

9.根据权利要求1至5中任一所述的交错振荡器，其中第一和第二RTWO通过一个阻抗被互相耦合，使得每一个RTWO与另一个RTWO之间相位锁定。

10.一种集成电路，包括：

第一旋转行波振荡器(RTWO)，包括第一对导线和第一分频器，所述第一对导线与第一分频器连接以形成第一闭合回路；

第二旋转行波振荡器(RTWO)，包括第二对导线和第二分频器，所述第二对导线与第二分频器连接以形成第二闭合回路；

所述第二闭合回路与所述第一闭合回路占有近似相同的物理区域；

所述第一和第二对导线进行交错，使得它们共享由彼此产生的电磁(EM)场。

11.根据权利要求10所述的集成电路，所述第一对导线的第一导线和第二对导线的第一导线是直接相邻，所述第一对导线的第二导线和第二对导线的第二导线是直接相邻。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其特征在于，所述第二对导线的第一导线段和所述第一对导线之间的第一闭合回路的一部分并联，并且其中所述第一对导线的第一导线与第二对导线中的第二闭合回路的一部分平行。

13.根据权利要求10至12任一所述的集成电路，其特征在于，所述第一分频器的第一导线与第二分频器的第一导线平行布线，所述第一分频器的第二导线与第二分频器的第二导线平行布线，所述第一分频器的第一和第二导线与所述第二分频器的第一和第二导线中的电流以相同的方向流动。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中，所述第一分频器的第一和第二导线互相堆叠，并一起布置在一个接地平面上；所述第二分频器的第一和第二导线互相堆叠，并一起布置在一个接地平面上；所述第一分频器的第一和第二导线和所述第二分频器的第一和第二导线在横向上彼此相邻。

15.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述第一分频器的第一导线设置在所述第二分频器的第一和第二导线之间并与之横向相邻，所述第二分频器的第一导线设置在所述第一分频器的第一和第二导线之间并与之横向相邻，所述第一分频器的第一和第二导线与所述第二分频器的第一和第二导线被布置在一个接地平面上。

16.根据权利要求10至15中任一所述的集成电路，其中所述第一和第二RTWO通过一个阻抗互相耦合。

17.根据权利要求16所述的集成电路，其中，所述耦合阻抗是电感性的。

18.根据权利要求16所述的集成电路，其中，所述耦合阻抗是电阻性。