[发明专利]芯片电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片电容器，包含：

基板；

第1外部电极，其配置于所述基板上；

第2外部电极，其配置于所述基板上；

多个电容器元件，其包含形成于所述基板上的第1电极膜、形成于所述第1电极膜上的第1电容膜、按照与所述第1电极膜对置的方式形成于所述第1电容膜上的第2电极膜、形成于所述第2电极膜上的第2电容膜、以及按照与所述第2电极膜对置的方式形成于所述第2电容膜上的第3电极膜，且所述多个电容器元件连接于所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间；以及

多个熔断器，其形成于所述基板上，分别插在所述多个电容器元件与所述第1外部电极或所述第2外部电极之间，且能将所述多个电容器元件分别隔出。

2.根据权利要求1所述的芯片电容器，其中，

所述多个电容器元件具有彼此不同的电容值。

3.根据权利要求2所述的芯片电容器，其中，

所述多个电容器元件的电容值被设定为呈等比数列。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的芯片电容器，其中，

所述多个熔断器当中的至少一个被切断。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的芯片电容器，其中，

所述第2电极膜被分割为多个第2电极膜部分，且所述多个熔断器与所述多个第2电极膜部分分别连接。

6.根据权利要求5所述的芯片电容器，其中，

所述多个第2电极膜部分以彼此不同的对置面积来与所述第1电极膜以及所述第3电极膜对置。

7.根据权利要求6所述的芯片电容器，其中，

所述多个第2电极膜部分的所述对置面积被设定为呈等比数列。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的芯片电容器，其中，

所述第1电极膜被分割为多个第1电极膜部分，且所述多个熔断器与所述多个第1电极膜部分分别连接。

9.根据权利要求8所述的芯片电容器，其中，

所述多个第1电极膜部分以彼此不同的对置面积来与所述第2电极膜对置。

10.根据权利要求9所述的芯片电容器，其中，

所述多个第1电极膜部分的所述对置面积被设定为呈等比数列。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的芯片电容器，其中，

所述第3电极膜被分割为多个第3电极膜部分，且所述多个熔断器与所述多个第3电极膜部分分别连接。

12.根据权利要求11所述的芯片电容器，其中，

所述多个第3电极膜部分以彼此不同的对置面积来与所述第2电极膜对置。

13.根据权利要求12所述的芯片电容器，其中，

所述多个第3电极膜部分的所述对置面积被设定为呈等比数列。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的芯片电容器，其中，

所述多个熔断器错开位置地进行配置，使得在垂直朝下看所述基板的主面的俯视下不相重叠。

15.根据权利要求5～13中任一项所述的芯片电容器，其中，

所述第1电极膜、所述第2电极膜或所述第3电极膜与所述熔断器是由相同的导电性材料的膜形成的。

16.一种芯片电容器的制造方法，包含：

在基板上形成多个电容器元件的工序；

在基板上形成第1外部电极以及第2外部电极的工序；以及

在所述基板上形成按照能将所述多个电容器元件分别隔出的方式与所述第1外部电极或第2外部电极连接的多个熔断器的工序，

所述形成多个电容器元件的工序包含：

在所述基板上形成第1电极膜的工序；

在所述第1电极膜上形成第1电容膜的工序；

在所述第1电容膜上按照与所述第1电极膜对置的方式形成第2电极膜的工序；

在所述第2电极膜上形成第2电容膜的工序；

在所述第2电容膜上按照与所述第2电极膜对置的方式形成第3电极膜的工序；以及

将所述第1电极膜、所述第2电极膜以及所述第3电极膜的至少一个分割为多个电极膜部分的工序。