[发明专利]用于布置和对齐光电部件的装置

权利要求书

1.一种在布设在共同基板上的光学部件之间提供无源光学对齐的装置，所述装置包括：

穿过所述共同基板的上表面形成的多个基准腔，所述多个基准腔以一一对应的关系与多个光学部件相关联，其中，每一基准腔包括直角对准拐角，相关联的光学部件紧贴着所述直角对准拐角放置，所述多个基准腔被布设在所述共同基板上的预定义的位置处，使得在将所述多个光学部件布置在所述多个基准腔中并且每一光学部件的拐角定位为紧贴着它的相关联的对准拐角时，所述光学部件之间实现无源对齐。

2.如权利要求1所限定的装置，其中，每一基准腔被形成为呈现基本上相同的高度。

3.如权利要求2所限定的装置，其中，所述多个基准腔被形成为具有小于30μm的深度。

4.如权利要求3所限定的装置，其中，所述多个基准腔被形成为具有在5-20μm范围内的深度。

5.如权利要求1所限定的装置，其中，每一基准腔呈现出的周边在形状上类似于它的相关联的光学部件的周边。

6.如权利要求5所限定的装置，其中，每一基准腔在周边的尺寸超过它的相关联的光学部件的周边。

7.如权利要求6所限定的装置，其中，每一基准腔在所述周边的每一维度上超过1-5μm范围内的量。

8.如权利要求1所限定的装置，其中，所述共同基板包括双层结构，所述双层结构包括下部的支撑层和上部的钝化层，所述多个基准腔穿过所述钝化层而形成。

9.如权利要求8所限定的装置，其中，所述下部的支撑层包括从由硅和玻璃组成的组中选出的材料。

10.如权利要求8所限定的装置，其中，所述上部的钝化层包括聚合材料。

11.如权利要求10所限定的装置，其中，所述上部的钝化层的聚合材料包括聚酰亚胺。

12.如权利要求8所限定的装置，其中，所述上部的钝化层包括介电材料。

13.如权利要求12所限定的装置，其中，所述上部的钝化层的所述介电材料包括二氧化硅。

14.如权利要求1所限定的装置，其中，所述共同基板包括基于绝缘硅片(SOI)的光学装置的硅层。

15.如权利要求1所限定的装置，其中，至少一个基准腔包括形成于其下表面上的多个槽，所述多个槽用于对布置接合材料进行引导，所述接合材料用于将光学部件附接到所述至少一个基准腔。

16.如权利要求1所限定的装置，其中，至少一个基准腔包括形成于其下表面上的多个肋，所述多个肋用于对把接合材料布置于它们之间进行引导，所述多个肋形成隔离件，所述隔离件限定了相关联的光学部件在所述至少一个基准腔内布置的深度。

17.一种在布设于共同基板上的多个光学部件之间提供无源光学对齐的方法，所述方法包括：

在所述共同基板的上表面上定义所述多个光学部件的多个位置；

基于所定义的多个位置将所述共同基板的上表面图案化，以定义每一相关联的基准腔的长度尺寸和宽度尺寸；

从每一定义的位置移除部分基板材料以创建基准腔，每一基准腔被形成为包括直角的基准拐角；

将每一光学部件定位在它的相关联的基准腔内，使得每一光学部件的拐角与它的相关联的对准拐角发生实体接触，以这种方式定位所述多个光学部件提供了无源光学对齐；以及

将所述多个光学部件接合在每一基准腔内的所定义的位置。

18.如权利要求17所限定的方法，其中，蚀刻工艺被用于从每一定义的位置移除部分基板材料。

19.如权利要求17所限定的方法，其中，所述共同基板包括硅支撑基板和覆盖在所述硅支撑基板之上的钝化材料层，使得所述定义步骤和所述图案化步骤是在所述钝化材料层的上表面上执行的，并且所述钝化材料的多个部分被移除以创建所述多个基准腔。

20.如权利要求17所限定的方法，其中，所述共同基板包括基于SOI的装置的硅表层，并且所述多个基准腔是使用深度反应离子蚀刻(deep RIE)工艺穿过所述硅表层的上表面创建的。