[发明专利]间层多晶硅电介质帽和形成该间层多晶硅电介质帽的方法

权利要求书

1.一种设置在基板的顶上的间层多晶硅电介质帽，所述基板具有第一浮置栅极、第二浮置栅极、和布置在所述第一浮置栅极与所述第二浮置栅极之间的绝缘层，所述间层多晶硅电介质帽包括：

第一含氮层，所述第一含氮层设置在所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极的上部和侧壁的顶上；

第一含氧层，所述第一含氧层设置在所述绝缘层的上表面和所述第一含氮层的顶上；

第二含氮层，所述第二含氮层设置在所述第一含氧层的上部和侧壁的顶上；和

第二含氧层，所述第二含氧层设置在所述第一含氧层的上表面和所述第二含氮层的顶上。

2.如权利要求1所述的间层多晶硅电介质帽，进一步包括设置在所述第二含氧层的顶上的第三含氮层。

3.如权利要求2所述的间层多晶硅电介质帽，其中所述第三含氮层的厚度为约10至约20。

4.如权利要求2所述的间层多晶硅电介质帽，进一步包括设置在所述第三含氮层的顶上的控制栅极层。

5.如权利要求1所述的间层多晶硅电介质帽，其中存在以下至少一个情况：

所述第一含氮层的厚度是约至约

所述第一含氧层的厚度是约至约

所述第二含氮层的厚度是约至约或

所述第二含氧层的厚度是约至约

6.如权利要求1所述的间层多晶硅电介质帽，其中所述第一含氮层和所述第二氮层包括氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)的至少一者。

7.如权利要求1所述的间层多晶硅电介质帽，其中所述第一含氧层和所述第二含氧层的每一个包含二氧化硅(SiO₂)或高k材料的至少一者。

8.一种装置，所述装置包括：

基板，所述基板具有第一浮置栅极、第二浮置栅极和设置在所述第一浮置栅极与所述第二浮置栅极之间的绝缘层；

第一含氮层，所述第一含氮层设置在所述第一浮置栅极和第二浮置栅极的上部和侧壁的顶上；

第一含氧层，所述第一含氧层设置在所述绝缘层的上表面和所述第一含氮层的顶上；

第二含氮层，所述第二含氮层设置在所述第一含氧层的上部和侧壁的顶上；和

第二含氧层，所述第二含氧层设置在所述第一含氧层的上表面和所述第二含氮层的顶上，其中所述第一含氮层和第二含氮层与所述第一含氧层和第二含氧层形成间层多晶硅电介质帽。

9.如权利要求8所述的装置，进一步包括：

第三含氮层，所述第三含氮层设置在所述第二含氧层的顶上。

10.如权利要求9所述的装置，进一步包括：

控制栅极层，所述控制栅极层设置在所述第三含氮层的顶上。

11.一种在基板的顶上形成间层多晶硅电介质帽的方法，所述基板具有第一浮置栅极、第二浮置栅极和设置在所述第一浮置栅极与所述第二浮置栅极之间的绝缘层，所述方法包括以下步骤：

在所述第一浮置栅极和第二浮置栅极的上部和侧壁的顶上有选择地形成第一含氮层；

在所述绝缘层的上表面和所述第一含氮层的顶上形成第一含氧层；

在所述第一含氧层的顶上沉积第二含氮层，其中所述第二含氮层具有沉积在所述第一浮置栅极和第二浮置栅极的所述上部上方的第一厚度，和沉积在所述绝缘层的所述上表面上方的第二厚度，且其中所述第二厚度小于所述第一厚度；和

通过氧化沉积在所述第一浮置栅极和第二浮置栅极的所述上部上方的所述第二含氮层的至少一部分，和氧化沉积在所述绝缘层的所述上表面上方的大体上所有第二含氮层来形成第二含氧层。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：

在所述第二含氧层的顶上形成第三含氮层。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：

在所述第三含氮层的顶上沉积控制栅极层。

14.如权利要求11所述的方法，其中有选择地形成所述第一含氮层包括：执行等离子体氮化工艺以氮化所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极的所述上部和侧壁的至少一部分。

15.如权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：

在所述第二含氧层的顶上沉积第三含氧层以增加所述第二含氧层的厚度。