[发明专利]用于穿过低K布线层来图案化穿板通孔的低K介电保护分隔物

权利要求书

1.一种方法，包括：

穿过低K值介电互连层来蚀刻通孔开口；

将保护层沉积在所述通孔开口中以及所述低K值介电互连层上；

从所述通孔开口的底部并从所述低K值介电互连层的水平表面蚀刻所述保护层的至少一部分，所述蚀刻在所述通孔开口的侧壁上留下保护性侧壁分隔物；

穿过所述通孔开口的底部并穿过半导体基板来蚀刻穿板通孔；以及

填充所述穿板通孔。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低K值介电互连层包括至少一个低K值金属间介电(IMD)层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层是由从包括以下各项的组中选择的材料形成的：未氟化的石英玻璃(USG)、硅酸四乙酯(TEOS)、二氧化硅、以及有机膜。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述保护层的至少所述部分包括执行定向反应离子蚀刻(RIE)以从所述低K值介电互连层的水平部分移除所述保护层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述保护层包括在所述低K值介电互连层的顶表面上形成所述保护层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括使所述保护层回流以使得有机保护层覆盖所述穿板通孔的侧壁。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

将所述穿板通孔纳入在半导体管芯内；以及

将所述半导体管芯集成到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机。

8.一种半导体管芯，包括：

半导体基板；

所述半导体基板上的低K值介电互连层；

延伸穿过所述低K值介电互连层和所述半导体基板的至少一个穿板通孔；以及

所述至少一个穿板通孔与所述低K值介电互连层之间的保护性分隔物。

9.如权利要求8所述的半导体管芯，其特征在于，所述低K值介电互连层包括至少一个低K值金属间介电(IMD)层。

10.如权利要求8所述的半导体管芯，其特征在于，所述保护性分隔物包括从包含以下各项的组中选择的材料：未氟化的石英玻璃(USG)、硅酸四乙酯(TEOS)、二氧化硅、以及有机膜。

11.如权利要求8所述的半导体管芯，其特征在于，所述保护性分隔物在所述低K值介电互连层的水平部分上。

12.如权利要求8所述的半导体管芯，其特征在于，进一步包括：

所述半导体基板内的浅沟槽隔离(STI)区；以及

所述半导体基板的表面以及所述(STI)区上的层间介电(ILD)层，所述低K值介电互连层置于所述ILD层的顶表面上。

13.如权利要求8所述的半导体管芯，其特征在于，所述半导体管芯被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机。

14.一种半导体管芯，包括：

半导体基板；

所述半导体基板上的低K值介电互连层；

延伸穿过所述低K值介电互连层和所述半导体基板的至少一个通孔；以及

置于所述至少一个通孔与所述低K值介电互连层之间的用于保护所述低K值介电互连层的装置。

15.如权利要求14所述的半导体管芯，其特征在于，所述低K值介电互连层包括至少一个低K值金属间介电(IMD)层。

16.如权利要求14所述的半导体管芯，其特征在于，所述用于保护所述低K值介电互连层的装置包括从包含以下各项的组中选择的材料：未氟化的石英玻璃(USG)、硅酸四乙酯(TEOS)、二氧化硅、以及有机膜。

17.如权利要求14所述的半导体管芯，其特征在于，所述用于保护所述低K值介电互连层的装置被形成在所述低K值介电互连层的水平部分上。