[发明专利]废气后处理系统、用于所述系统的催化剂及其制备方法

权利要求书

1.废气后处理系统，它包括至少一个氧化设备，所述氧化设备包括由基质制成且配备有多个气体通道的主体，所述气体通道限定在主体内和由基质壁界定，所述基质壁用催化有效量的主要由Mn₂O₃组成的催化剂涂覆，所述催化剂具有：

i)新鲜时的表面积大于或等于10m²/g，和

ii)老化后的表面积小于新鲜催化剂的表面积且大于或等于2m²/g，所述老化通过如下步骤实施：

-将2g新鲜催化剂放入静态烘箱；

-以10℃/min的加热速率将所述催化剂加热至800℃的老化温度；

-将所述催化剂在老化温度下保持12小时；和

-在保持步骤结束时从烘箱中取出样品。

2.权利要求1的后处理系统，其中新鲜催化剂的表面积为10-80m²/g，优选为14-68m²/g。

3.权利要求1或2的后处理系统，其中老化后催化剂的表面积为2-10m²/g，优选为2-7m²/g。

4.权利要求1-3任一项的后处理系统，其中所述气体通道相对于废气流向在主体上游和下游通道两端在主体的相对侧开放。

5.权利要求1-3任一项的后处理系统，其中所述基质是多孔的，和其中所述气体通道的上半段相对于废气流向在主体下游端封闭，和所述气体通道的下半段补充所述上半段相对于废气流向在主体上游端封闭。

6.权利要求1-3任一项的后处理系统，其中所述氧化设备按顺序包括：配备有多个气体通道的第一主体，所述气体通道相对于废气流向在主体上游和下游通道两端在主体的相对侧开放，和由多孔基质组成且配备有多个气体通道的第二主体，其中所述气体通道的上半段相对于废气流向在主体下游端封闭，和所述气体通道的下半段补充所述上半段相对于废气流向在主体上游端封闭。

7.权利要求1-3任一项的后处理系统，所述系统按顺序包括至少两个氧化设备，其中第一氧化设备包括配备有多个气体通道的主体，所述气体通道相对于废气流向在主体上游和下游通道两端在主体的相对侧开放，和第二氧化设备包括由多孔基质组成且配备有多个气体通道的主体，其中所述气体通道的上半段相对于废气流向在主体下游端封闭，和所述气体通道的下半段补充所述上半段相对于废气流向在主体上游端封闭。

8.权利要求1-7任一项的后处理系统，还包括通过应用液态或气态还原剂选择性催化还原(SCR)氮氧化物的设备。

9.将废气中存在的至少部分气体污染物氧化为NO₂和/或CO₂和/或H₂O的方法，所述方法包括：

a)将所述废气物流引入氧化设备，所述氧化设备包括配备有多个气体通道的主体，所述气体通道相对于废气流向在主体上游和下游通道两端在主体的相对侧开放和由形成主体的基质的壁界定，所述基质壁用权利要求1-3任一项中所定义的催化剂涂覆；

b)使所述气体物流与所述催化剂接触以将至少部分气体污染物氧化为NO₂和/或CO₂和/或H₂O；

c)由氧化设备排出NO₂和/或CO₂和/或H₂O含量增加的废气。

10.权利要求9的方法，其中所述废气由内燃机、燃烧柴油的锅炉排出或者来自工业过程。

11.减少废气中存在的颗粒物质排放的方法，所述方法包括：

a)将所述废气物流引入用于脱除颗粒物质的氧化设备，所述氧化设备包括由多孔基质制成且配备有多个气体通道的主体，所述气体通道由形成主体的基质的气体可渗透壁界定，其中所述气体通道的上半段相对于废气流向在主体下游端封闭，和所述气体通道的下半段补充所述上半段相对于废气流向在主体上游端封闭，和其中所述气体可渗透壁用权利要求1-3任一项中所定义的催化剂涂覆；

b)使所述气体物流流过气体可渗透壁，以从气体物流中基本上脱除颗粒物质和保持颗粒物质与催化剂接触；

c)通过使所述催化剂达到大于或等于250℃的温度而燃烧颗粒物质。