[发明专利]用于镁植入物材料上的生物相容性等离子体电解涂层的贫电解质

权利要求书

1. 一种在镁及其合金上产生陶瓷层的方法，包括以下步骤：

将植入物和金属片浸入水性电解质浴，所述水性电解质浴基本上由以下物质组成：氨、磷酸氢二铵和尿素，并且其中所述植入物由镁或其合金制成；

通过在所述植入物、所述金属片之间并且透过所述水性电解质浴通电流进行阳极氧化，其中所述植入物连接到电流源的正极，并且所述金属片连接到所述电流源的负极；

施加经选择的电流密度以在所述植入物上形成火花，从而在所述植入物上形成陶瓷层。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中在25体积%的所述氨浓度的范围为1.0mol/L至6.0mol/L；所述磷酸氢二铵浓度的范围为0.05mol/L至0.2mol/L；以及所述尿素浓度的范围为0.01mol/L至1.0mol/L。

3. 根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中所述水性电解质浴具有范围为10.3至11.6的pH值以及范围为18℃至22℃的温度。

4. 根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述电流密度为至少1A/dm²。

5. 根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述电流密度的范围为1A/dm²至3A/dm²。

6. 根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中通过电绝缘不待被涂布的表面区域将所述涂层选择性施加到所述植入物。

7. 根据权利要求6所述的方法，其中电绝缘不待被涂布的区域通过在将所述植入物浸入所述水性电解质浴之前向不待被涂布的区域表面施加漆、膜或箔等来实现。

8. 一种具有通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法制备的陶瓷层的镁植入物，其中所述陶瓷层为氧化物、氢氧化物或磷酸盐陶瓷层或其组合，并且具有最多50μm的厚度。

9. 一种具有通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法制备的陶瓷层的镁植入物，其中所述陶瓷层具有范围为2μm至20μm的厚度。

10. 一种具有通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法制备的陶瓷层的镁植入物，其中所述陶瓷层选自：MgO、Mg(OH)₂、Mg₃(PO₄)₂以及镁的合金元素的氧化物。

11. 一种具有通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法制备的陶瓷层的镁植入物，其中所述陶瓷层改善了骨组织粘附性，并且基本上不含损害生物相容性的物质。

12. 一种具有通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法制备的陶瓷层的镁植入物，其中所述陶瓷层不含胺分解产物。

13. 一种具有生物相容性陶瓷层的镁植入物，所述生物相容性陶瓷层基本上不含损害所述生物相容性陶瓷层的生物相容性的材料，所述生物相容性陶瓷层具有最多50μm的厚度，其中所述生物相容性陶瓷层包含选自以下的组分：MgO、Mg(OH)₂、Mg₃(PO₄)₂、镁的合金元素的氧化物以及它们的组合。

14. 根据权利要求8至13中任一项所述的镁植入物，其中所述植入物在浸入模拟体液中时，与没有所述陶瓷层的镁植入物相比延缓并降低了氢释放。

15. 根据权利要求14所述的具有陶瓷层的镁植入物，其中经过最长40天的浸入周期，相对于镁的经腐蚀质量而言，与没有所述陶瓷层的镁植入物相比，所述氢释放降低了10%至50%。