[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201280054320.4 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103930996B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，所述衬底具有形成在所述衬底中的沟槽，并且所述衬底由碳化硅制成，所述沟槽在一个主表面侧开口并且具有侧壁表面；
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜与所述侧壁表面接触地形成在所述侧壁表面上；以及
栅电极，所述栅电极与所述栅极绝缘膜接触地形成在所述栅极绝缘膜上，
其中，所述衬底包括
具有第一导电类型的源极区，所述源极区被布置为在所述侧壁表面处被暴露，以及
具有第二导电类型的体区，所述体区相对于所述源极区被布置在与所述一个主表面相反的位置上，所述体区与所述源极区接触，并且在所述侧壁表面处被暴露，并且
在所述侧壁表面中的每个边为100nm的正方形区域具有以RMS表示的不大于1.0nm的表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁表面具有比所述主表面的表面粗糙度低的表面粗糙度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中
所述沟槽还具有底壁表面，所述底壁表面被形成为与所述侧壁表面相交，并且
所述侧壁表面具有比所述底壁表面的表面粗糙度低的表面粗糙度。
4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的半导体器件，其中，由所述侧壁表面相对于构成所述衬底的碳化硅的{01-12}面形成的角小于由所述主表面相对于构成所述衬底的碳化硅的{0001}面形成的角。
5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的半导体器件，其中，由所述主表面相对于构成所述衬底的碳化硅的{0001}面形成的角不大于8°。
6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的半导体器件，其中，所述侧壁表面与构成所述衬底的碳化硅的特定晶面对应。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述侧壁表面与包括构成所述衬底的碳化硅的(0-33-8)面的(0-11-2)面对应。
8.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其中，通过热蚀刻形成所述侧壁表面。
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