[发明专利]真空处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种适用于片形或板形基板的真空处理的真空处理装置。

背景技术

通常，为了将大约1至3层沉积在基板上，有时使用通过将一个装载锁定腔室LL连接至一个处理腔室PC上而形成的沉积装置(例如见PTL1)。

在由一个处理腔室PC和一个装载锁定腔室LL形成的这种沉积装置中，当在装载锁定腔室LL中基板交换时不能在处理腔室PC中进行沉积。因此，基本能力利用率的提高有限，且很难提高沉积处理的生产率(产量)。

在由一个处理腔室PC和一个装载锁定腔室LL形成的沉积装置中，在一些实例中使用传递真空容器的装置，该真空容器有保持在载体中的基板。在这种装置中，基板的附接/取出可以在载体从真空容器中抽取的状态中进行。需要大量的人工来用于基板附接/取出操作，且很难提高生产率。

为了缩短在装载锁定腔室LL中的操作时间，使用这样的方法，该方法将装载锁定腔室LL布置在处理腔室PC的各上游侧和下游侧，且基板沿一个方向通过(例如见PTL2)。

例如，在PTL2中公开的技术使用真空处理装置，其中，多个处理腔室布置在装载腔室和卸载腔室之间。在这种真空处理装置中，因为基板当保持在载体中时能够进行传递，因此多层薄膜能够连续形成于基板上。

引用列表

专利文献

PTL1：日本专利申请公开No.9-272979

PTL2：日本专利申请公开No.7-243037

发明内容

技术问题

不过，在PTL2的技术中，将载体(或保持器)与保持的基板一起传递至真空容器中的机构是复杂的，且沉积装置的成本降低很困难。另外，当要堆垛在基板上的层数较小时，在装载腔室和卸载腔室中的操作时间变得相对较长。为了提高处理腔室的操作速率，需要制备大量的载体。因此，成本降低很困难。

考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够提高沉积处理的生产率，还有助于降低成本。

问题的解决方案

根据本发明，提供了一种真空处理装置，它包括：处理腔室；装载锁定腔室，该装载锁定腔室与处理腔室连接；以及传递装置，该传递装置设置成将基板从装载锁定腔室传递至处理腔室，其中，传递装置设置成通过重力而使得基板运动，且传递装置包括引导件，该引导件设置成当基板通过重力而运动时形成传递通路；以及止动器，该止动器设置成在保持基板时限制基板通过重力而进行的运动，并当使得基板运动时消除该限制。

发明的有利效果

本发明能够提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够很容易地节省能量，因为基板利用重力来传递。因为这种真空处理装置使用相对简单的结构来传递基板，因此能够降低初始成本或运行成本。

通过下面结合附图的说明将清楚本发明的其它特征和优点，在全部附图中，相同参考符号表示相同或类似的部件。

附图说明

包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图表示了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明实施例的真空处理装置的正视图；

图2是沿图1中的线A-A的剖视图；

图3是根据本发明第一实施例的传递装置的示意图；

图4是根据本发明第一实施例的传递装置的示意图；

图5是沿图4中的线B-B的剖视图；

图6是根据本发明第一实施例的传递装置的放大示意图；

图7是根据本发明实施例的传递装置的止动器的示意图；

图8A是根据本发明实施例的止动器的操作的解释图；

图8B是根据本发明实施例的止动器的操作的解释图；以及

图9是根据本发明另一实施例的真空处理装置的剖视图。

具体实施方式

下面将参考附图介绍本发明的实施例。应当知道，下面将介绍的部件、结构等只是本发明的特殊实例，而不是为了限制本发明的范围，当然，在本发明的精神和范围内能够进行多种变化和改变。应当知道，一些部件未示出，以防止附图变复杂。

在本说明书中，用于沉积DLC(金刚石状碳)的CVD装置(真空处理装置1或2)将介绍为真空处理装置。不过，本发明并不局限于此。本发明例如可用于溅射装置、另外的PVD装置、另外的CVD装置等。本发明也可用于不同于沉积装置的处理装置，例如干蚀刻装置、灰化装置、退火装置等。