[发明专利]电流传感器

权利要求书

1.一种闭环电流传感器，包括磁路(4)、磁场检测器(8)和补偿线圈组件(6)，所述磁路具有低磁阻且构造为可传导磁通并聚集磁场，所述补偿线圈组件构造为产生与由流经一个或多个主导体(2)的待测电流所产生的磁场相反的磁场，所述主导体延伸穿过所述磁路的中央开口，所述磁路包括第一分支(12)、第二分支(14)以及第一和第二端部分支(16a，16b)，所述第一和第二端部分支将所述第一和第二分支相互连接，使得所述分支包围所述中央开口，所述第二分支包括接收器(22)，所述接收器限定出以轴向方向A延伸的用于接收所述磁场检测器的感测部的空腔(28)，所述第二分支包括两个第二分支部(14a，14b)，所述两个第二分支部通过将所述磁路的相对端(31a，31b)放置在一起时所产生的界面而分隔开，其中，所述接收器包括分别设置在每个第二分支部(14a，14b)中的一个接收部(22a，22b)，每个接收部通过两个横向延伸部(24a，24b)形成，所述延伸部(24a，24b)在壁部(221a，221b)的两侧横向地延伸、环绕式地形成为侧壁部(222a，222b)并在相对侧上聚集在一起而形成由纵向间隙(33)分隔开的壁部(223a，223b)，其中所述磁路一体形成为单个部件，并且所述第二分支部中的至少一个分支部(14b)包括从所述至少一个第二分支部(14b)的壁部(221b)中一体延伸出的重叠延伸部(224b)，所述重叠延伸部与另一第二分支部(14a)的壁部(221a)重叠并抵靠接触。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述磁路由磁性条带材料一体式切割而形成。

3.根据权利要求1或2所述的传感器，其中，所述第二分支部(14a，14b)的端面(31a，31b)由具有在0.1至1mm范围内的宽度(g)的气隙分隔开。

4.根据上述权利要求中任一项所述的传感器，其中，所述重叠延伸部布置在所述磁路的内侧。

5.根据上述权利要求中任一项所述的传感器，其中，所述横向延伸部从所述磁路的中央纵向部分(23)延伸出，并且包括位于将所述横向延伸部与所述中央纵向部分相接合的内角处的凹口或切口(26)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的传感器，其中，所述纵向间隙轴向地延伸，并且布置在所述侧壁部之间的中央。

7.根据上述权利要求中任一项所述的传感器，其中，所述重叠延伸部具有的长度至少大于包括有所述重叠壁部(221a)的所述接收部的整个长度的80％。

8.根据上述权利要求中任一项所述的传感器，其中，所述端部分支(16a，16b)在将所述第二分支部(14a，14b)与所述端部分支相接合的角部(24)处的宽度W2小于所述端部分支(16a，16b)在与所述第一分支(12)相接合的角部(18)处的宽度W1。

9.根据上述权利要求中任一项所述的传感器，其中，所述磁路包括位于将所述第一分支(12)与端部分支相接合的角部(18)处的加固凹痕(20)，所述加固凹痕从所述角部(18)的外侧朝着所述磁路的中央开口向内突出。

10.根据上述权利要求中任一项所述的传感器，还包括具有支承体(68)的磁路及补偿线圈支承件(10)，所述支承体包括连接主体部(70)和磁路支承延伸部(72)，所述支承延伸部从所述连接主体部(70)轴向地延伸，并且构造为用于将所述磁路的第二分支安装并定位在所述支承延伸部上。

11.根据权利要求10所述的传感器，其中，用于连接所述补偿线圈组件的补偿线圈的连接端子(84)安装在所述支承体中。

12.根据权利要求中10或11所述的传感器，其中，所述支承延伸部(72)包括在所述支承延伸部的远离所述连接主体部的自由端上的凸脊(83)，所述凸脊构造为轴向地限定出所述磁路在所述支承体(68)上的位置。

13.根据权利要求10到11中任一项所述的传感器，其中，所述连接主体部(70)包括凹槽(78)，所述凹槽构造为在横向和轴向上容纳并定位所述磁路的端部分支中的一个端部分支(16a)。