[发明专利]用于分割半导体器件复合件的方法

权利要求书

1.一种用于分割半导体器件复合件(1)的方法，所述半导体器件复合件具有带有主面(50)的载体(5)和设置在所述主面(50)上的半导体层序列(2)，其中

-借助于第一激光切割在所述半导体器件复合件(1)中构成分离槽(4)，其中所述分离槽(4)将所述半导体器件复合件(1)在垂直于所述主面(50)伸展的竖直方向上仅部分地分割；并且

-将所述半导体器件复合件(1)沿着所述分离槽(4)借助于激光以分割切割的方式完全地分割。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述半导体器件复合件具有设置在所述载体的背离所述半导体层序列的一侧上的金属层(7)。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中所述分离槽的底面(40)在所述分割切割之前在竖直方向上设置在所述金属层和所述主面之间。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述半导体层序列借助于连接层(34)固定在所述载体上并且所述第一激光切割将所述连接层完全地分割。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述第一激光切割延伸进入所述载体中。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中在所述第一激光切割和所述分割切割之间沿着所述分离槽进行第二激光切割，所述第二激光切割仅部分地分割所述载体。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中在所述第二激光切割和所述分割切割之间沿着所述分离槽进行第三激光切割，所述第三激光切割仅部分地分割所述载体。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中将所述半导体层序列在所述第一激光切割之前在器件区域(23)中结构化。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中所述分离槽在相邻的器件区域之间伸展。

10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中将所述半导体层序列外延地沉积在生长衬底上并且将所述生长衬底移除。

11.在参考权利要求8或9的情况下根据权利要求10所述的方法，

其中在将所述生产衬底移除之后构成所述器件区域。

12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述载体基于半导体材料。

13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述载体具有至多200μm的厚度。

14.根据权利要求1所述的方法，

其中

-所述半导体层序列借助于连接层(34)固定在所述载体上；

-所述第一激光切割延伸进入所述载体中；

-所述半导体器件复合件具有设置在所述载体的背离所述半导体层序列的一侧上的金属层(7)；并且

-所述分离槽的底面(40)在所述分割切割之前在竖直方向上设置在所述金属层和所述主面之间。