[发明专利]形成半导体基板的p型掺杂铝表面区域的方法

权利要求书

1.用于形成半导体基板的至少一个p型掺杂铝表面区域的方法，所述方法包括以下步骤：

(1)提供半导体基板，

(2)在所述半导体基板的至少一个表面区域上施加并干燥铝浆，

(3)焙烧所述干燥过的铝浆，以及

(4)用水除去所述焙烧过的铝浆，

其中在步骤(2)中使用的所述铝浆包含粒状铝、有机载体和基于总铝浆组合物计3至20重量％的玻璃料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体基板选自无定形锗半导体基板、非晶硅半导体基板、无掺杂结晶锗半导体基板、p型掺杂结晶锗半导体基板、无掺杂结晶锗-硅合金半导体基板、p型掺杂结晶锗-硅合金半导体基板、无掺杂结晶硅半导体基板和p型掺杂结晶硅半导体基板。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体基板是p型太阳能电池晶片，其具有p型区域、正面n型区域和p-n结，并且其中所述半导体基板的至少一个表面区域是所述p型太阳能电池晶片的背面。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述p型太阳能电池晶片选自p型结晶锗太阳能电池晶片、p型结晶锗-硅合金太阳能电池晶片和p型结晶硅太阳能电池晶片。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述粒状铝在所述铝浆中以基于总铝浆组合物计50至80重量％的比例存在。

6.根据权利要求1、2或5所述的方法，其中所述玻璃料是硅铝酸盐玻璃或硼硅酸盐玻璃。

7.根据权利要求1、2、5或6所述的方法，其中在所述铝浆中的有机载体含量为基于总铝浆组合物计20至45重量％。

8.具有至少一个p型掺杂铝表面区域的半导体基板由根据权利要求1、2、5、6或7所述的方法制备。

9.根据权利要求3或4所述的方法，其中所述粒状铝在所述铝浆中按如下：以基于总铝浆组合物计50至80重量％的比例存在。

10.根据权利要求3、4或9所述的方法，其中所述玻璃料是硅铝酸盐玻璃或硼硅酸盐玻璃。

11.根据权利要求3、4、9或10所述的方法，其中在所述铝浆中的有机载体含量为基于总铝浆组合物计20至45重量％。

12.具有p型掺杂铝BSF层的p型太阳能电池晶片由根据权利要求3、4、9、10或11所述的方法制备。