[发明专利]制造高清晰度加热器系统的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年8月30日和2012年4月19日提交的临时申请系列号61/528,939和61/635,310的优先权，这些专利的内容全文引入本文以供参考。本申请还涉及与本申请同时提交并共同转让的名称为“控制热阵列的系统和方法(System and Method for Controlling a Thermal Array)”的共同待决申请以及名称为“热阵列系统(Thermal Array System)”的申请，这些专利的内容全文引入本文以供参考。

技术领域

本发明涉及加热器系统，特别是一种能够在操作期间将精确的温度曲线输送到加热目标，以便补偿热损失和/或其他变化的加热器系统，例如，在半导体处理中使用卡盘或承受器的这些应用。

背景技术

本部分中的陈述仅提供与本发明相关的背景信息，可能不构成现有技术。

在半导体处理的技术中，例如，在处理过程中，卡盘或承受器用于保持衬底(或晶片)并向衬底提供均匀的温度曲线。参照图1，示出了静电卡盘的支承组件10，该支承组件10包括具有嵌入式电极14的静电卡盘12，以及通过粘合层18连接到静电卡盘12的加热器板16，所述粘合层通常是有机硅粘合剂。加热器20固定在加热器板16上，举例来说，加热器板可以是蚀刻箔加热器。加热器组件再次通过通常是有机硅粘合剂的粘合层24连接到冷却板22。衬底26设置在静电卡盘12上，电极14连接至电压源(未示出)，使得产生静电力，这使衬底26保持在适当位置。在包围支承组件10的等离子体反应室内，射频(RF)或微波电源(未示出)可以连接到静电卡盘12。因此，在各个室内等离子半导体处理步骤中，加热器20提供必需的热量以在衬底26上保持温度，所述步骤包括等离子体增强薄膜沉积或蚀刻。

在衬底26处理的所有阶段期间，重要的是对静电卡盘12的温度曲线进行严格控制，以减少正在刻蚀的衬底26内的处理变化，同时减少了总处理时间。在半导体处理领域以及其它应用中,用于改善在衬底上的温度均匀性的改进的装置和方法是始终需要的。

发明内容

在本发明的一种形式中，提供了一种制造加热器的方法，所述方法包括形成一种层压件，其具有介电层、第一双面粘合介电层，以及导电层，将电路图案创建到导电层上，将第二双面粘合介电层覆盖到电路图案上，使用牺牲层覆盖第二双面粘合介电层，形成加热器，所述加热器包括介电层、第一双面粘合介电层、导电层和第二双面粘合介电层，并且随后移除牺牲层。

在另一种制造加热器的方法中，该方法包括形成一种层压件，其具有第一双面粘合介电层、在双面粘合介电层的一侧上的第一牺牲层，以及在双面粘合介电层的相对侧上的导电层，将电路图案创建到导电层上，将第二双面粘合介电层覆盖到电路图案上，使用第二牺牲层覆盖双面粘合介电层上，形成加热器，所述加热器包括第一双面粘合介电层、导电层和第二双面粘合介电层，并随后移除至少一个牺牲层。

在又一个制造加热器的方法中，该方法包括形成一种层压件，其具有第一双面粘合介电层、在双面粘合介电层的一侧上的第一牺牲层，以及在双面粘合介电层的相对侧上的导电层，将电路图案创建到导电材料上，将第二双面粘合介电材料覆盖在蚀刻的电路图案上，使用介电层覆盖双面粘合介电层，形成加热器，所述加热器包括牺牲层、第一双面粘合介电层、导电层、第二双面粘合介电层和介电层，并随后移除牺牲层。

在另一个制造加热器的方法中，该方法包括形成一种层压件，其具有第一双面粘合介电层、在双面粘合介电层的一侧上的载体层，以及在双面粘合介电层的相对侧上的导电层，将电路图案创建到导电层中，并将所述层压件连接到相邻的部件上。

进一步的应用领域将从这里提供的描述中变得明显。应当理解，描述和具体示例仅用来示例性说明，而不是用来限制本发明的范围。

附图说明

为了使本发明可以很容易理解，现以示例的方式给出并参考附图描述的各种形式，其中：

图1是现有技术的静电卡盘的放大侧视图；

图2是具有调谐层并根据本发明的一种形式的原理构造的加热器的局部侧视图；

图3是具有调谐层或调谐加热器并根据本发明的原理构造的图1所示的加热器的另一种形式的分解侧视图；

图4是图3所示的加热器的透视分解图，示出了根据本发明的原理的基底加热器的示例性四个(4)区域和调谐加热器的十八个(18)区域；

图5是示出了具有补充调谐层并根据本发明的原理构造的高清晰度加热器系统的另一种形式的侧视图；