[发明专利]高清晰度加热器和操作方法有效
申请号: | 201280052655.2 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN104067691B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 凯文·帕塔斯恩斯基;凯文·罗伯特·史密斯;卡尔·托马斯·斯汪森;菲利普·史蒂文·施密特;穆罕默德·诺斯拉蒂;雅各布·林德利;艾伦·诺曼·博尔特;张三宏;路易斯·P·辛德豪尔;丹尼斯·斯坦利·格里马 | 申请(专利权)人: | 沃特洛电气制造公司 |
主分类号: | H05B1/02 | 分类号: | H05B1/02;H01L21/67;H05B3/26 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人: | 白华胜,段晓玲 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清晰度 加热器 操作方法 | ||
1.一种设备,其包含:
包含至少一个电阻加热元件和至少一个功能区的基底功能层;
被固定到所述基底功能层上、包含第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底,其中所述基底功能层提供于第一表面上;
被固定到所述衬底的第二表面上、与所述基底功能层相对的调谐层,使得所述衬底位于所述基底功能层和所述调谐层之间,所述调谐层包含多个区域,其数目大于所述基底功能层的区域,且所述调谐层的功率低于所述基底功能层;以及
被固定在所述调谐层上、邻近所述衬底的第二表面的部件,
其中所述衬底限定热导率,以从所述基底功能层、从所述衬底的第一表面向所述衬底的第二表面,再向所述调谐层和所述部件耗散功率,其中所述调谐层调节由所述基底功能层施加至所述部件的加热曲线。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述基底功能层和所述调谐层中的至少一者是温度传感器。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述部件选自包含卡盘、台座、晶片工作台、衬底支承物和喷头的组。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述基底功能层和所述调谐层中的至少一者包含具有足够的TCR特性的电阻材料,使得所述基底功能层和所述调谐层中的至少一者同时起加热器和温度传感器的作用。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述基底功能层和所述调谐层中的至少一者限定与所述衬底的CTE相匹配的CTE。
6.根据权利要求1所述的设备,其进一步包含固定到所述部件的顶面上的次级调谐层。
7.根据权利要求1所述的设备,其进一步包含多个调谐层。
8.根据权利要求1所述的设备,其进一步包含路由层,所述路由层配置在所述基底功能层和所述调谐层之间并限定用于路由电力线的内腔。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述基底功能层和所述调谐层中的至少一者配置在所述部件的外围。
10.根据权利要求1所述的设备,其进一步包含:
配置成邻近所述调谐层的上构件,所述上构件限定与所述调谐层的每一个所述区域对准的多个锥形腔室,所述上构件进一步包含多个电源导通孔;
与所述上构件相邻并限定与所述上构件的锥形腔室对准的多个反向锥形腔室的下构件,所述下构件进一步包含与所述上构件的电源导通孔通信的多个电源导通孔,
其中,控制元件配置在所述下构件的反向锥形腔室内,且与所述基底功能层和调谐层中的至少一者通信。
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述控制元件通过数字总线通信。
12.根据权利要求1所述的设备,其中所述基底功能层包含多个热电元件。
13.根据权利要求12所述的设备,其中所述热电元件按区域配置。
14.根据权利要求12所述的设备,其中所述热电元件被配置在冷却板的顶部。
15.一种加热器,其包含:
基板;
被固定到所述基板上的基底加热器,所述基底加热器包含至少一个电阻加热元件和至少一个区域;
被固定到所述基底加热器上、包含第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底,其中所述基底加热器提供于第一表面上;
被固定到所述衬底的第二表面上、与所述基底加热器相对的调谐加热器,使得所述衬底位于所述基底加热器和所述调谐加热器之间,所述调谐加热器包含多个区域,该区域数目大于所述基底加热器的区域,且所述调谐加热器提供低于所述基底加热器的功率;以及
被固定在所述调谐加热器上、邻近所述衬底的第二表面的卡盘,
其中所述衬底限定热导率,以从所述基底加热器、从所述衬底的第一表面向所述衬底的第二表面,再向所述调谐加热器和所述卡盘耗散功率,其中所述调谐加热器调节由所述基底加热器施加至所述卡盘的加热曲线。
16.根据权利要求15所述的加热器,其中所述基底加热器和所述调谐加热器中的至少一者包含具有足够的TCR特性的电阻材料,使得所述基底加热器和调谐加热器中的至少一者同时起加热器和温度传感器的作用。
17.根据权利要求15所述的加热器,其中所述基底加热器和所述调谐加热器中的至少一者限定层式构造。
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