[发明专利]可变电容元件以及高频器件有效
| 申请号: | 201280052633.6 | 申请日: | 2012-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN103891047A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
| 发明(设计)人: | 池本伸郎;中矶俊幸;谷口胜己;乡地直树;池田直徒 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01Q7/00 | 分类号: | H01Q7/00;G06K19/07;G06K19/077;H01Q5/01;H04B5/02 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 可变电容 元件 以及 高频 器件 | ||
1.一种高频器件,包括:天线线圈;可变电容元件,该可变电容元件改变包含所述天线线圈的天线电路的谐振频率;以及RFIC,该RFIC与所述可变电容元件相连接,其特征在于,
所述可变电容元件包括:强电介质电容器,该强电介质电容器在电容器电极之间夹有强电介质膜,且电容值根据施加在所述电容器电极之间的控制电压值而变化;以及控制电压施加电路,该控制电压施加电路构成有由具有不同电阻值的多个电阻元件所构成的电阻分压电路,并对所述可变电容元件施加控制电压。
2.如权利要求1所述的高频器件,其特征在于,
所述多个电阻元件的各电阻元件的第一端与所述控制电压施加电路相连接,第二端分别与所述RFIC的IO端子相连接。
3.如权利要求2所述的高频器件,其特征在于,
所述多个电阻元件为设置在基板上的电阻图案,形成各电阻图案,使得所述多个电阻元件的电阻值以这些电阻值中最低的电阻值为基准,且与该基准的比率为2的幂次方。
4.如权利要求1至3的任一项所述的高频器件,其特征在于,
所述可变电容元件及所述控制电压施加电路通过薄膜工艺形成在所述基板上,所述多个电阻元件通过同一工艺形成在所述基板上的同一层。
5.如权利要求4所述的高频器件,其特征在于,
所述可变电容元件包括并联连接在所述强电介质电容器两端的多个RF电阻元件,这些RF电阻元件设置在与所述多个电阻元件不同的层上。
6.一种可变电容元件,其特征在于,
具有在电容器电极之间夹有强电介质膜的强电介质电容器,
包括控制电压施加电路,该控制电压施加电路与所述强电介质电容器相连接,包括具有不同电阻值的多个电阻元件,以施加使得所述强电介质电容器的施加电压值发生多种变化的控制电压。
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