[发明专利]具有前焦距校正的光学器件的晶片级制造有效
申请号: | 201280052514.0 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103890948A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | H.鲁德曼恩;M.马鲁克;A.比伊特施;P.罗恩特根;S.海姆加特纳 | 申请(专利权)人: | 七边形微光学私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 焦距 校正 光学 器件 晶片 制造 | ||
1.一种用于制造器件、特别是光学器件的方法,所述方法包括执行校正步骤用于至少部分地补偿制造不规则性,所述校正步骤包括提供被称为隔离晶片的晶片,所述隔离晶片被结构化成用于至少部分地补偿所述制造不规则性,特别地其中,所述制造不规则性包括与标称值的偏差。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述制造不规则性包括所述器件的组成部分的尺寸不规则性。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,所述器件包括光学构件。
4.根据权利要求3所述的方法,所述光学构件包括至少一个无源光学部件。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的方法,所述光学构件包括至少一个有源光学部件。
6.根据权利要求3至5中的一项所述的方法,所述制造不规则性包括由在所述光学构件的制造期间使用的制造步骤所产生的制造不规则性。
7.根据权利要求3至6中的一项所述的方法,其中,所述光学构件是在晶片级制造的光学构件。
8.根据权利要求3至7中的一项所述的方法,所述制造不规则性包括所述光学构件的特性量值与标称值的偏差。
9.根据权利要求3至8中的一项所述的方法,所述光学构件包括至少一个透镜元件,所述制造不规则性包括所述至少一个透镜元件的特性量值与标称值的偏差。
10.根据权利要求9所述的方法,所述标称值是所述至少一个透镜元件的焦距。
11.根据权利要求1至10中的一项所述的方法,包括制造所述隔离晶片的步骤。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,根据所述制造不规则性来执行所述制造所述隔离晶片。
13.根据权利要求1至12中的一项所述的方法,包括从多个预先制造的隔离晶片中选择所述隔离晶片的步骤,特别地其中,所述预先制造的晶片是根据不同的规格而制造的,更特别地其中,所述预先制造的隔离晶片在它们竖向延伸方面相互不同。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,根据所述制造不规则性来执行所述选择所述隔离晶片。
15.根据权利要求1至14中的一项所述的方法,包括确定所述制造不规则性的步骤。
16.根据权利要求1至15中的一项所述的方法,包括估计所述制造不规则性的步骤。
17.根据权利要求1至16中的一项所述的方法,其中,所述隔离晶片的厚度具有根据所述制造不规则性而选择的值。
18.根据权利要求1至17中的一项所述的方法,所述器件包括光学构件,其中,所述光学构件是通过制造布置在被称为光学晶片的晶片上的许多光学构件而制造的光学构件,所述许多光学构件包括所述光学构件。
19.根据权利要求18所述的方法,包括制造所述光学晶片。
20.根据权利要求18或权利要求19所述的方法,所述制造所述光学晶片包括复制步骤。
21.根据权利要求18至20中的一项所述的方法,其中,由在所述光学晶片处执行的测量来确定或者根据该测量来估计所述制造不规则性。
22.根据权利要求18至21中的一项所述的方法,其中,由在至少一个其他光学晶片处执行的测量确定或者根据该测量来估计所述制造不规则性,所述至少一个其他光学晶片是以与所述光学晶片相同的方式制造的晶片。
23.根据权利要求18至22中的一项所述的方法,其中,为了至少部分地实现所述补偿,将所述隔离晶片制造成展现出一个或多个大体上横向延伸的区域,在所述一个或多个大体上横向延伸的区域中,所述隔离晶片呈现大体上弯曲的形状,所述一个或多个区域中的每一个跨与在所述光学晶片中被所述许多光学构件中的数个所占据的区域那样大的区域延伸,特别地其中,所述隔离晶片展现出刚好一个这样区域,更特别地,其中所述一个区域基本上跨整个隔离晶片延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的