[发明专利]用于具有受控的可平均和可隔离电压参考的MRAM的系统和方法

权利要求书

1.一种非易失性电阻式存储器，包括：

与至少一个位单元阵列(I／O)相关联的多个参考单元，其中所述多个参考单元中的至少两个被耦合至共用节点；以及

与所述I／O相关联的多个感测放大器，其中至少一个感测放大器被耦合至所述共用节点。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：

至少一个开关器件，配置成隔离所述多个参考单元中的至少一个参考单元。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：

至少一个开关器件，配置成将所述多个参考单元中的至少一个参考单元与所述共用节点相隔离。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，还包括：

至少一个开关器件，配置成隔离所述多个参考单元中的至少一个参考单元。

5.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，被隔离的参考单元被耦合至其相关联的I／O。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器是MRAM、STT-MRAM、PRAM或电阻式RAM之一。

7.一种非易失性电阻式存储器，包括：

第一位单元阵列(I／O)，其具有第一参考单元、从所述第一参考单元至第一I／O参考线的第一参考单元可选链路、以及耦合至所述第一I／O参考线的第一感测放大器；

第二I／O，其具有第二参考单元、从所述第二参考单元至第二I／O参考线的第二参考单元可选链路、以及耦合至所述第二I／O参考线的第二感测放大器；以及

介于所述第一I／O参考线和所述第二I／O参考线之间的参考线耦合链路。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第一参考单元可选链路和所述第二参考单元可选链路中的至少一者是可熔链路，所述可熔链路能够被烧断从而进行将所述第一参考单元与所述第一I／O参考线隔离以及将所述第二参考单元与所述第二I／O参考线隔离中的至少一者。

9.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第一参考单元可选链路和所述第二参考单元可选链路中的至少一者是处于所选烧断状态的可熔链路，从而进行将所述第一参考单元与所述第一I／O参考线隔离以及将所述第二参考单元与所述第二I／O参考线隔离中的至少一者。

10.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第一参考单元可选链路和所述第二参考单元可选链路中的至少一者是可开关器件，所述可开关器件能够被切换为进行将所述第一参考单元耦合至所述第一I／O参考线以及将所述第二参考单元耦合至所述第二I／O参考线中的至少一者的导通状态、以及能够被切换为进行将所述第一参考单元与所述第一I／O参考线隔离以及将所述第二参考单元与所述第二I／O参考线隔离中的至少一者的断开状态。

11.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述参考线耦合链路是将所述第一I／O参考线和所述第二I／O参考线耦合至共用参考节点的可熔链路，所述共用参考节点被耦合至所述第一感测放大器且被耦合至所述第二感测放大器，所述可熔链路能够被烧断以破坏所述共用参考节点。

12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述第一参考单元可选链路和所述第二参考单元可选链路中的至少一者是可熔链路，所述可熔链路能够被烧断从而进行将所述第一参考单元与所述第一I／O参考线隔离以及将所述第二参考单元与所述第二I／O参考线隔离中的至少一者。

13.如权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述第一参考单元可选链路和所述第二参考单元可选链路中的至少一者是可开关器件，所述可开关器件能够被切换为进行将所述第一参考单元耦合至所述第一I／O参考线以及将所述第二参考单元耦合至所述第二I／O参考线中的至少一者的导通状态、以及能够被切换为进行将所述第一参考单元与所述第一I／O参考线隔离以及将所述第二参考单元与所述第二I／O参考线隔离中的至少一者的断开状态。

14.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述参考线耦合链路是可开关器件，所述可开关器件能够被切换为导通以将所述第一I／O参考线和所述第二I／O参考线耦合至共用参考节点、以及能够被切换为断开以移除所述共用参考节点，所述共用参考节点被耦合至所述第一感测放大器且被耦合至所述第二感测放大器。