[发明专利]具有量子点的光源

权利要求书

1.一种基于发光纳米颗粒的发光材料（100），包括互连的受到包覆的发光纳米颗粒（20）的基体（10），

- 其中，所述发光纳米颗粒（20）选自由能够在光谱的可见部分发光的半导体纳米颗粒构成的组，

- 其中，所述发光纳米颗粒（20）包括含有第一包覆材料（125）的第一包层（25），所述第一包覆材料不同于所述纳米颗粒的半导体材料，其中，所述第一包覆材料（125）选自由M1_x-M2_y-M3_z-A_(x+2y+3z)/2化合物构成的组，其中，M1选自由Na、Li、Mg、Cu、Ag和Au构成的组，其中，M2选自由Zn和Cd构成的组，其中，M3选自由Ga、As、In和Tl构成的组，并且其中，A选自由O、S、Se、As、P和Te构成的组，其中，x处于0-1的范围内，其中，y处于0-1的范围内，其中，z处于0-1的范围内，并且其中，x、y和z的至少其中之一大于0，

- 其中，所述基体（10）包括含有第二包覆材料（135）的第二包层（35），所述第二包覆材料不同于所述第一包覆材料（125），其中，所述第二包覆材料（135）选自由M4A构成的组，其中，M4选自由Al、Ca、Mg、Zn和Cd构成的组，并且其中，A选自由Cl、F、O、S、Se和Te构成的组。

2.根据权利要求1所述的发光材料（100），其中，所述发光纳米颗粒（20）选自由InP、CuInS₂、CuInSe₂、CdTe、CdSe、CdSeTe、AgInS₂、AgInSe₂和ZnSe:Mn构成的组。

3.根据前述权利要求中的任何一项所述的发光材料（100），其中，所述第一包层（125）包括选自由Cu_xZn_yIn_zS_(x+2y+3z)/2、Cu_xZn_yIn_zSe_(x+2y+3z)/2、ZnTeSe和CdS构成的组的材料。

4.根据前述权利要求中的任何一项所述的发光材料（100），其中，所述基体（10）包括CdSe/CdS杆含点纳米颗粒（41）。

5.根据前述权利要求中的任何一项所述的发光材料（100），其中，所述基体（10）包括CdSe/CdS芯－壳纳米颗粒（42）。

6.根据前述权利要求中的任何一项所述的发光材料（100），其中，互连的发光纳米颗粒（20）的基体（10）包括球－接头结构（50），其中，一个或多个球形部分（51）包括一个或多个受到包覆的发光纳米颗粒（20），其中，所述球形部分通过接头（52）互连，所述接头包括选自由M1_x-M2_y-M3_z-A_(x+2y+3z)/2、M4A化合物构成的组的材料。

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的发光材料（100），其中，所述第二包覆材料（135）选自由MgS、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnSSe、ZnSO₄、Zn_1?xMg_xS_ySe_1?y和TiO₂构成的组。

8.根据前述权利要求中的任何一项所述的发光材料（100），其中，所述发光纳米颗粒（10）包括CdSe，其中，所述第一包覆材料（125）包括CdS，并且其中，所述第二包覆材料（135）包括ZnS。

9.根据前述权利要求中的任何一项所述的发光材料（100），其中，相邻的发光纳米颗粒具有至少5nm的最短距离（d），并且其中，所述第二包层（35）具有处于1-50nm的范围内的包层厚度（d2）。

10.根据前述权利要求中的任何一项所述的发光材料，其在25℃具有至少80%的量子效率，与在25℃的量子效率相比其在100℃具有最高20%的量子效率猝灭。