[发明专利]生产透明SOI片的方法

权利要求书

1.一种生产透明SOI片的方法，该方法包括以下步骤：

将用作供体片的硅片的表面与透明的处理片的表面键合在一起以获得键合片；

在150至300℃的第一温度对所述键合片进行热处理，作为第一热处理；

通过从被热处理后的键合片的硅片侧向键合的表面和未键合的周围表面之间的边界照射可见光激光，同时在所述激光的入射光和所述硅片的径向方向之间保持60至90°的角度来切割所述键合片的未键合部分；

对所述未键合的部分被切割后的所述键合片的硅片进行研磨、抛光或蚀刻以形成硅膜；以及

在比所述第一温度高的300至500℃的第二温度对形成有所述硅膜的所述键合片进行热处理，作为第二热处理。

2.根据权利要求1所述的生产透明SOI片的方法，其中在所述键合步骤中，在键合之前所述硅片的周缘部分被倒角，或者在键合之前所述硅片的直径比所述透明处理片的直径大。

3.根据权利要求1或2所述的生产透明SOI片的方法，其中所述第二温度比所述第一温度高150至250℃。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的生产透明SOI片的方法，

进一步包括，在所述键合步骤之后并且在所述切割步骤之前，将所述键合片中的硅片研磨、抛光或蚀刻到具有100μm以上的厚度的步骤，并且

其中在所述切割步骤之后进行的所述研磨、抛光或蚀刻步骤中形成的硅膜具有20μm以下的厚度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的生产透明SOI片的方法，其中所述可见光激光为SHG-YAG激光。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的生产透明SOI片的方法，其中所述透明处理片为石英、玻璃或蓝宝石。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的生产透明SOI片的方法，其中：

当所述透明处理片是石英或玻璃时，所述第一温度为150至300℃，并且所述第二温度为350至500℃；并且

当所述透明处理片是蓝宝石时，所述第一温度为150至250℃，并且所述第二温度为300至500℃。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的生产透明SOI片的方法，进一步包括，在所述键合步骤之前，对所述硅片的表面和所述透明处理片的表面之一或二者进行表面活化处理的步骤。

9.根据权利要求8所述的生产透明SOI片的方法，其中所述表面活化处理是从包括臭氧水处理、UV臭氧处理、离子束处理和等离子体处理的组中选择的至少一种处理。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的生产透明SOI片的方法，其中用作所述供体片的硅片是其上具有氧化膜的硅片。