[发明专利]有机发光二极管有效

专利信息
申请号: 201280050464.2 申请日: 2012-08-06
公开(公告)号: CN103875089A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 丹尼尔·斯特芬·塞茨;西蒙·希克坦茨 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管
【说明书】:

技术领域

提出一种有机发光二极管。

发明内容

待实现的目的在于,提出一种进行保护以防止由静电放电所造成的损害的有机发光二极管。

根据有机发光二极管的至少一个实施形式,所述有机发光二极管包括载体衬底。载体衬底能够包括下述材料或材料类中的一种或多种或由所述材料或材料类中的一种或多种构成:玻璃、石英、塑料膜、金属、金属膜、例如由硅制成的半导体晶片。特别优选地,载体衬底对于由有机发光二极管在工作时产生的辐射是能穿透的。载体衬底能够是透明的或者也包括例如是散射颗粒或粗化部的扩散介质。

根据有机发光二极管的至少一个实施形式,所述有机发光二极管包括第一电极。第一电极安置在载体衬底上。例如,第一电极与载体衬底的材料直接物理接触或者具有距载体衬底的材料最多500nm或最多200nm的间距。

优选地,第一电极构成为阳极并且能够具有空穴注入的材料。第一电极的材料尤其是透明的能导电的氧化物,英语也称为transparent conductive oxide,简称TCO。这样的材料通常是金属氧化物,例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物简称ITO。除了二元金属氧化物,例如ZnO或SnO以外,三元金属氧化物,例如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明的能导电的氧化物的混合物也属于TCO族。此外,TCO不强制性地对应于化学计量的组成。可选地,第一电极的材料也能够是p型掺杂的或n型掺杂的。

根据至少一个实施形式,有机发光二极管包括有机层序列。有机层序列包括设为用于在发光二极管工作时产生电磁辐射的至少一个有源层。有源层基于至少一种有机材料或者由至少一种有机材料构成。由有源层在发光二极管工作时产生的辐射具有尤其在350nm和800nm之间、优选在400nm和700nm之间的波长,其中包含边界值。

有机层序列优选包括多个层,尤其p型掺杂的有机层和n型掺杂的有机层。例如有源层施加在所述有机层之间。

有机层序列的层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机非聚合物小分子,英语small molecules,或者由其构成的组合物。优选地,有机层序列的所有层由上述材料构成。

除了p型掺杂的层和n型掺杂的层以及有源层以外,有机层序列能够具有其他的功能层。例如有机层序列包括空穴传输层和/或空穴注入层。所述层例如包括叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩。层序列的其他的层能够构成为电子传输层和/或构成为电子注入层。此外,层序列能够包含用于空穴和/或用于电子的阻挡层。

根据发光二极管的至少一个实施形式,有机层序列位于第一电极的背离载体衬底的侧上。有机层序列例如安置在第一电极之上并且能够与第一电极直接物理接触。可行的是,具有有源层的有机层序列完全地覆盖第一电极,或者第一电极完全地在有机层序列和载体衬底之间延伸。

根据至少一个实施形式,有机发光二极管包括第二电极。第二电极位于有机层序列的背离载体衬底的侧上。可行的是,第二电极完全地覆盖有机层序列或者有机层序列完全地在第二电极和载体衬底之间延伸。第二电极优选与有机层序列直接物理接触。

第二电极优选构成为阴极。尤其,第二电极包括电子注入的材料。例如,第二电极包括一种或多种下述材料或由其构成:铝、钡、铟、银、金、镁、钙、锂。替选地或附加地,第二电极也能够具有一种或多种上述TCO。附加地或替选地,第二电极也能够是透光的或者优选地构成为反射性的。

此外,可行的是,第一电极构成为阴极并且第二电极构成为阳极。

根据至少一个实施形式,有机发光二极管包括保护二极管。保护二极管设立为用于进行保护以防止静电放电的损害。换言之,保护二极管是ESD保护二极管。保护二极管安置在载体衬底上。保护二极管位于载体衬底的与有机层序列相同的主侧上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280050464.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top