[发明专利]制造结构构造体的方法

说明书

相关申请交叉引用

本申请主张2011年8月22日提交的美国临时申请No.61／526,185，2011年8月12日提交的美国临时申请No.61／523,261的优先权，这两份申请都以引用的方式并入本申请中。若在此以引用方式并入的上述临时申请和／或其他材料与本公开冲突，以本公开为准。

技术领域

本技术涉及一种包括不同晶体的矩阵特性的材料。

背景技术

在过去150年中，技术的进步已经超过历史中的任何时期。对新的或现有材料所呈现的特性的开发已成为这个创新时代的一部分。例如，硅作为一种半旱体，已经被转换成了处理器；拥有高抗拉强度的钢被用于建造摩天大楼的骨架。未来的发明同样取决于开发新的和现有材料的有用特性。

材料的用处取决于它的应用。一种呈现有用特性的组合的材料会特别有用，这是因为它使一些技术成为可能或者改进了这些技术。例如，计算机处理器依靠许多晶体管，每一个晶体管根据它的输入来输出等于二进制的1或0的电压。适合作为晶体管的材料非常少，但是半旱体材料拥有可以促进晶体管二进制逻辑的独特特性，使得半旱体对于计算机硬件而言特别有用。

技术将会持续进步。工程师和科学家们将会持续创造出新的发明。这些创意的实施将依赖于那些可被构造为以新的和所需的方式表现的材料。

附图说明

图1A显示的是晶体的矩阵特性的分子结构示意图。

图1B显示的是双层的结构构造体的晶体矩阵特性的分子结构示意图。

图1C显示的是另一幅双层的结构构造体的晶体矩阵特性的分子结构示意图。

图2显示的是被构造成固体的结构构造体的等轴侧视图。

图3显示的是被构造成平行层的结构构造体的横截面侧视图。

图4显示的是被构造成平行层的结构构造体的侧视图。

图5显示的是被构造成平行层的结构构造体的横截面侧视图。

图6显示的是被构造成同心管层结构构造体的横截面侧视图。

图7显示的是被构造成平行层的结构构造体的横截面侧视图。

图8显示的是结构构造体层的侧视图。

图9显示的是另一幅结构构造体层的侧视图。

图10显示的是被构造成平行层的结构构造体的侧视图。

图11显示的是另一幅被构造成平行层的结构构造体的侧视图。

图12A显示的是使用烃制造结构构造体的示例性的方法。

图12B显示的是在制造结构构造体的方法中剥落和间隔层的示例性的方法。

图12C显示的是另一个在制造结构构造体的方法使用选定前驱物剥落和间隔层的示例性的方法。

图12D显示的是在制造结构构造体的方法中使用选定前驱物自组织层的示例性的方法。

图12E显示的是在制造结构构造体的方法中使用酸剥落和间隔层的示例性的方法。

图13显示的是使用净化的甲烷制造结构构造体的示例性的方法。

图14显示的是使用氮化硼制造结构构造体的示例性的方法。

图15显示的是另一个使用氮化硼制造结构构造体的示例性的方法。

图16A显示的是示例性的拥有单原子厚度层的平面的结构构造体的侧视图。

图16B显示的是另一个示例性的拥有单原子厚度层的平面的结构构造体的侧视图。

图16C显示的是示例性的拥有单原子厚度层的平面的结构构造体的俯视图。

图16D显示的是呈现涡旋行为的示例性的平面。

图17A显示的是示例性的结构构造体中均一间隔的平行层的三维侧视图。

图17B显示的是气体分子被吸收并被限制于层之间的示例性的结构构造体的三维侧视图。

图18A显示的是承载物质且自我修复的结构构造体的层的示例性的平面的三维俯视图。

图18B显示的是承载物质且自我修复的结构构造体的层的示例性的平面的三维侧视图。

具体描述

综述