[发明专利]具有局部背接触的太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201280049697.0 | 申请日: | 2012-10-05 |
公开(公告)号: | CN104247033A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | P.嘉弗伦诺;J.达思;A.尤鲁纳德卡斯特罗 | 申请(专利权)人: | IMEC公司;道达尔销售服务公司;勒芬天主教大学K.U.勒芬R&D |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/061;H01L21/268 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 局部 接触 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.具有局部背接触的太阳能电池(1)的制造方法,该太阳能电池包括至少两层的电介质叠层(10),该至少两层的电介质叠层(10)至少包括与p型硅层(3)接触的AlOx的第一电介质层(11)和沉积在第一电介质层(11)上的第二电介质层(13),其特征在于,该方法包括在该电介质叠层(10)中形成至少一个局部开口(15)的步骤,在该局部开口的位置至少部分保留所述第一电介质层(11)。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中在该电介质叠层(10)中形成至少一个局部开口(15)的步骤包括激光烧蚀步骤。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其中该烧蚀步骤采用脉冲持续时间小于几个纳秒的脉冲激光执行。
4.根据权利要求1至3中任何一项所述的制造方法,其中该第一电介质层(11)显示允许场效应钝化的负电荷。
5.根据权利要求1至4中任何一项所述的制造方法,其中该第一电介质层(11)在烧蚀后具有至少几个单层的厚度。
6.根据权利要求1至5中任何一项所述的制造方法,其中该AlOx的第一电介质层(11)在烧蚀后具有1nm至30nm之间的厚度。
7.根据权利要求1至6中任何一项所述的制造方法,其中该第二电介质层(13)由SiNx制成。
8.根据权利要求2至7中任何一项所述的制造方法,其中该烧蚀步骤采用在UV区域中辐射的、更具体地在355nm周围辐射的激光执行。
9.根据权利要求1至8中任何一项所述的制造方法,其中在该烧蚀步骤后进行在光伏电池的背面(19)上施加金属化层(17)的步骤。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其中该施加金属化层(17)由基于Al的金属化方法执行。
11.根据权利要求1至9中任何一项所述的制造方法,其中在该施加金属化层(17)之后,通过在温度T>740℃的炉中烧制而在保留至少一个局部开口(15)的区域上执行背表面场(BSF)的形成。
12.根据权利要求1至9中任何一项所述的制造方法,其中在该施加金属化层(17)之后,进行退火步骤以在该背侧区域(19)上形成金属接触,例如在400℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC公司;道达尔销售服务公司;勒芬天主教大学K.U.勒芬R&D,未经IMEC公司;道达尔销售服务公司;勒芬天主教大学K.U.勒芬R&D许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的