[发明专利]具有局部背接触的太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280049697.0 申请日: 2012-10-05
公开(公告)号: CN104247033A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: P.嘉弗伦诺;J.达思;A.尤鲁纳德卡斯特罗 申请(专利权)人: IMEC公司;道达尔销售服务公司;勒芬天主教大学K.U.勒芬R&D
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/061;H01L21/268
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 比利*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要:
搜索关键词: 具有 局部 接触 太阳能电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.具有局部背接触的太阳能电池(1)的制造方法,该太阳能电池包括至少两层的电介质叠层(10),该至少两层的电介质叠层(10)至少包括与p型硅层(3)接触的AlOx的第一电介质层(11)和沉积在第一电介质层(11)上的第二电介质层(13),其特征在于,该方法包括在该电介质叠层(10)中形成至少一个局部开口(15)的步骤,在该局部开口的位置至少部分保留所述第一电介质层(11)。

2.根据权利要求1所述的制造方法,其中在该电介质叠层(10)中形成至少一个局部开口(15)的步骤包括激光烧蚀步骤。

3.根据权利要求2所述的制造方法,其中该烧蚀步骤采用脉冲持续时间小于几个纳秒的脉冲激光执行。

4.根据权利要求1至3中任何一项所述的制造方法,其中该第一电介质层(11)显示允许场效应钝化的负电荷。

5.根据权利要求1至4中任何一项所述的制造方法,其中该第一电介质层(11)在烧蚀后具有至少几个单层的厚度。

6.根据权利要求1至5中任何一项所述的制造方法,其中该AlOx的第一电介质层(11)在烧蚀后具有1nm至30nm之间的厚度。

7.根据权利要求1至6中任何一项所述的制造方法,其中该第二电介质层(13)由SiNx制成。

8.根据权利要求2至7中任何一项所述的制造方法,其中该烧蚀步骤采用在UV区域中辐射的、更具体地在355nm周围辐射的激光执行。

9.根据权利要求1至8中任何一项所述的制造方法,其中在该烧蚀步骤后进行在光伏电池的背面(19)上施加金属化层(17)的步骤。

10.根据权利要求9所述的制造方法,其中该施加金属化层(17)由基于Al的金属化方法执行。

11.根据权利要求1至9中任何一项所述的制造方法,其中在该施加金属化层(17)之后,通过在温度T>740℃的炉中烧制而在保留至少一个局部开口(15)的区域上执行背表面场(BSF)的形成。

12.根据权利要求1至9中任何一项所述的制造方法,其中在该施加金属化层(17)之后,进行退火步骤以在该背侧区域(19)上形成金属接触,例如在400℃。

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